동부하이텍, 내장형 메모리 설계자산 개발

일반입력 :2012/08/06 19:06    수정: 2012/08/07 08:30

송주영 기자

동부하이텍(대표 최창식)은 6일 세계적인 반도체 설계자산 회사인 미국 킬로패스와 아날로그반도체용 메모리 설계자산을 개발했다고 밝혔다.

새로 개발한 IP는 전력관리 칩, LCD 구동 칩, 이미지 센서 등 아날로그반도체에 내장돼 데이터를 저장하는 메모리를 설계할 때 사용된다.

이 IP는 전원이 차단돼도 정보가 지워지지 않는 비휘발성 특징과 함께 원타임 프로그래머블(OTP) 기능도 갖추고 있다. 정보를 한번 기록하면 추가적인 기록과 수정이 불가능해 칩의 데이터가 경쟁사에 의하여 위변조되는 것을 막을 수 있다.

반도체 설계회사(팹리스)들이 아날로그반도체를 설계할 때 이 IP를 사용하면 별도의 메모리 IP를 개발하는 데 소요되는 수 개월의 기간을 단축하고 개발 비용도 절감할 수 있다.

특히 이 IP는 1비트(메모리의 최소단위로 2진수(0,1)의 값 한 개를 저장할 수 있는 크기) 메모리를 위해 2개의 트랜지스터를 사용하는 기존 제품들과는 달리 1비트에 1.5개의 트랜지스터를 사용해 메모리의 크기를 약 30% 이상 줄였다.

여러 개의 칩을 하나의 칩으로 구성하는 SoC(시스템 온 칩)형태의 고집적 아날로그반도체를 설계하는데 적합하다. 메모리의 데이터 저장과 삭제를 위해 사용되는 부동 게이트(Floating Gate)를 사용하지 않았으며 이로 인해 제조 시간을 단축함은 물론 비용도 절감할 수 있게 된다.

부동 게이트는 전하(전기의 성질을 갖는 작은 입자)를 담는 그릇 역할을 하는 전기회로로 전하를 축적하고(신호 1) 빼며(신호 0) 반복적인 디지털 신호를 만드는 역할을 한다.

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새로 개발한 IP는 주로 0.18미크론급 복합전압소자(BCDMOS: Bipolar CMOS DMOS) 공정과 0.18미크론급 아날로그 CMOS 공정으로 생산되는 고집적 전력관리 칩에 내장되는 메모리 설계에 사용될 예정이다.

동부하이텍 관계자는 “새로 개발한 IP는 이 달부터 고객들에게 제공될 계획이며 향후에도 킬로패스와 함께 다양한 0.18미크론급 공정에 맞는 IP를 추가로 개발해 고집적 아날로그반도체 시장에서도 경쟁력을 갖춰갈 계획”이라고 설명했다.