파나소닉이 차세대 저항변화메모리(Re램) 개발에 성공했다고 22일 니혼게이자이 등 일본 언론이 보도했다. 보도에 따르면 파나소닉이 개발한 Re램은 낸드플래시 대비 20배 이상의 처리 속도를 나타냈다.
Re램은 낸드플래시를 대체할 차세대메모리로 평가받는다. 전기 신호 변화를 이용해 디지털 정보를 저장하는 방식으로 전원이 꺼져도 정보가 유지되는 비휘발성 메모리다.
우리나라의 삼성전자, 하이닉스 외에 도시바, IBM, HP, 마이크론 등도 개발하고 있다. 엘피다도 최근 샤프와 공동으로 Re램 개발에 나서겠다는 계획을 발표하기도 했다.
파나소닉 Re램은 우선 의료, 항공 등 특수 분야에 적용될 전망이지만 중장기로는 모바일 시장을 겨냥했다. 현재의 Re램 수준을 더 높여 향후 스마트폰, 태블릿 등 향후 2~3년 내 모바일 기기용 제품 양산을 계획하고 있다.
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