엘피다, R램 시제품 개발…진짜?

일본 메모리반도체 업체 엘피다가 비휘발성 저항 메모리(R램) 시제품을 개발했다고 발표했다.

25일(현지시간) EE타임즈는 엘피다가 내년 R램 개발 협력사인 샤프와 함께 차세대 메모리를 양산할 계획이라고 보도했다. 이 보도는 엘피다, 마이크론, 난야 3사가 경영통합을 논의하고 있다고 보도된 직후에 나왔다.

보도에 따르면 엘피다 R램 시제품은 64Mb로 50나노 공정에서 만들어졌다. 기술개발에는 일본 신에너지 산업기술개발기구(NEDO), 일본 투자 기구 등이 참여했으며 향후 일본 산업기술총합연구소(AIST), 도쿄대학 등이 합류할 예정이다.

현재 R램은 공정기술 한계에 달한 낸드플래시 메모리를 대체할 수 있는 차세대메모리로 꼽히고 있다. 우리나라의 삼성전자, 하이닉스,HP,IBM 등이 자기저항메모리(M램),상변화메모리(P램) 등에 대해 활발하게 연구하고 있다.

엘피다가 개발한 Re램은 D램과 비슷한 10나노초로 쓰기를 할 수 있으며 100만번 이상 읽고 쓸 수 있어 플래시메모리보다 10배가량 앞선 성능을 보인다. 

엘피다는 내년 양산 시에는 30나노 공정기술을 적용할 계획이라고 밝혔지만 실현 가능성은 미지수다. 엘피다는 과거에도 자금난에 부딪히자 신기술 개발에 성공했다고 밝힌 바 있다.

지난 해에도 20나노급 D램을 우리나라 삼성전자, 하이닉스에 앞서 개발 계획을 발표한 바 있지만 결국 실현되지 못했다. 엘피다는 R램 시제품 개발시 사용한 물질도 공개하지 않았다.