삼성전자, 세계 최초 20나노급 D램 양산 시작

삼성전자가 세계 최대 규모의 메모리 반도체 생산라인인 16라인의 본격 가동에 들어갔다. 또 세계 반도체 업계에서 처음으로 20나노급 D램 양산을 시작했다. 삼성전자는 이로써 메모리 시장 한 단계 도약을 위한 발판을 마련했다.

삼성전자는 22일 나노시티 화성캠퍼스에서 '메모리 16라인 가동식, 20나노 D램 플래시 양산' 행사를 개최한다. 이날 행사에는 이건희 삼성전자 회장과 권오현 DS사업총괄 사장, 이재용 사장 등 주요 경영진과 소니 나카가와 유타카 부회장을 비롯한 글로벌 IT 업체 관계자 등 500여명이 참석한다.

마이크로소프트 스티브 발머 CEO, HTC 셰어 왕 회장, DELL 제프 클라크 부회장, 레노보 양위엔칭 CEO, IBM 프랜 오 설리반 부사장 등은 영상 메시지를 보내 삼성전자가 낸드 플래시를 주력으로 양산하는 세계 최대 규모의 메모리 16라인을 가동하는 한편 업계에서 처음으로 20나노급 D램을 양산하게 된 것을 축하했다.

지난 해 5월에 착공해 1년 3개월 만에 가동에 들어간 메모리 16라인은 라인면적(FAB: 반도체 제조공장) 약 6만평 규모 12층 건물로 낸드를 주력으로 양산하는 세계 최대 규모의 메모리 생산라인이다.

2월 건물을 완공해 5월 클린룸 공사를 마쳤고 6월부터 시범 가동에 들어가 8월에 양산 체제를 갖췄다. 이달부터 20나노급 고속 낸드 플래시를 12인치 웨이퍼로 월 1만매 이상 생산하며 본격 양산을 시작했다.

삼성전자는 빠르게 늘어나는 낸드 플래시 수요에 맞춰 올해 말까지 12인치 웨이퍼 생산 규모를 늘려 나가고 내년에는 10나노급 대용량 고속 메모리도 양산할 계획이다.

삼성전자는 최첨단 공정을 갖춘 16라인의 가동으로 고객에 다양한 제품을 안정적으로 공급할 수 있게 됨으로써 반도체 선두업체로서 더욱 차별화된 경쟁력을 강화할 수 있게 됐다.

삼성전자는 이와 함께 이 날 세계 최초로 20나노급 2Gb D램의 양산을 이 달부터 시작했다고 밝혔다.

20나노급 DDR3 D램은 지난해 7월 선보인 30나노급 DDR3 D램과 동등한 세계 최고 성능을 구현하면서도 생산성은 약 50% 정도 높이고 소비 전력은 40% 이상 줄인 그린 메모리 제품이다.

삼성전자는 올해 말에 20나노급 4Gb DDR3 D램 기반의 대용량 제품을 개발해 내년 이후에는 4, 8, 16, 32GB 등 다양한 제품군을 본격 양산할 계획이다.

이건희 회장은 지난해 5월 경영 복귀 후 이 날 가동식을 가지는 반도체 16라인 기공식 현장을 첫 방문지로 삼은 데 이어 가동식까지 참석할 예정으로 반도체 사업에 대한 각별한 애정을 드러냈다.

이 회장은 지난해 5월17일 메모리 16라인 기공식에 참석해 지금 세계 경제가 불확실하고 경영 여건의 변화도 심할 것으로 예상되지만 이런 시기에 투자를 더 늘리고 인력도 더 많이 뽑아서 글로벌 사업기회를 선점해야 삼성에도 기회가 오고 우리 나라 경제가 성장하는데도 도움이 될 것이라고 말했다.

이 회장은 또한 지난달 11일 반도체 사장단과의 오찬에서 D램의 뒤를 이을 차세대 메모리 개발 속도를 높여 메모리 분야에서도 차별화된 경쟁력으로 시장 리더십을 지켜야 한다고 강조한 바 있다.