SMIC, 우한에 300mm팹 설립

SMIC가 우한에 300mm팹을 설립한다.

EE타임스는 SMIC의 발표를 인용, 이 회사가 허베이사이언스앤테크놀로지인베스트먼트그룹과 합작, 우한신신반도체(XinXin Semiconductor Manufacturing)공장에 300mm팹을 설립할 계획이라고 13일 보도했다.

발표에 따르면 SMIC는 자본금 10억달러로 이름이 정해지지 않은 합작사를 설립하기로 했으나 설립 시기는 시장상황에 따라 가변적이다.

이러한 움직임은 우한이스트레이크하이테크개발지역위원회와 협력계획에 따라 이뤄지는 것이며 지난해 10일 협약식이 이뤄진 바 있다. 허베이는 우한이스트레이크개발위원회가 100% 출자한 회사다.

이 합작사가 설립되면 허베이가 5억달러를 투자하는 대신 33.3%의 지분을 확보하며, SMIC가 66.7%의 지분을 소유하는 대신 수년 간 10억달러를 투자한다. 허베이는 또한 현금 2억2천600만달러를 투자한다.

이 합작사는 65나노미터급, 및 40나노미터급 IC를 만들며 월 4만5천장의 웨이퍼를 생산하게 된다고 SMIC는 말했다.

이 팹 설립을 위한 합작사의 설립시점은 정부의 승인에 달려있다고 보도는 전했다.