일본의 엘피다메모리가 세계최초로 25나노(1nm=10억분의 1m)D램 공정을 이용해 2기가비트 DDR3 SD램을 개발했다고 발표했다. 이어 오는 7월부터 칩 양산에 들어간다고 2일 자사 홈페이지와 보도자료를 통해 밝혔다.
엘피다측은 새로 개발된 25nm D램 기술은 30nm 공정에 비해 셀 면적을 30%나 줄일 수 있으며 이에따른 칩 생산성도 30%나 올라가게 됐다고 설명했다.
또 “25nm공정이 개발됐을 때 기존 30nm공정으로부터 25nm 양산 공정으로 전환하기 위한 설비투자비를 최소화하기 위해 구조적 변화가 요구됐다”고 밝혀 양산을 위한 준비가 상당히 진척됐음을 암시했다.
![](https://image.zdnet.co.kr/2011/05/02/WyMLHsIOt8sXRqmkVzvc.jpg)
우리나라의 경우 삼성전자는 상반기에 30나노공정에서의 양산, 하반기에 20나노 공정에서의 양산을 계획중이다.
권오철 하이닉스사장은 올초 엘피다의 기술력에 대해 40나노 공정 수준에서 벗어나지 못한다고 평가한 바 있다.
엘피다는 이번 제품에 대해 “새로운 SD램은 PC나 각종 디지털기기에서 사용전력을 낮추어 환경친화적이라고 설명했다.
보도자료에 따르면 이번에 개발된 25나노공정의 반도체는 30나노공정의 제품에 비해 운영전력을 15%,대기전력을 20%가량 저감시켜 준다.
엘피다는 이어 올해 연말부터 이 25나노공정을 이용, 4기가비트 DDR3 SD램 제품을 양산하겠다고 밝혔다.
4기가비트 DDR3제품에 25나노공정을 사용할 경우 30나노공정을 사용할 경우보다 웨이퍼당 칩 생산 효율은 44%나 더 높아진다.
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엘피다는 새로운 25나노공정은 엘피다의 주력 메모리제품인 모바일램TM(RAMTM)의 추가 개발을 지원하는데 사용될 것이라고 밝혔다.
25나노공정의 2Gb DDR3 SD램은 DDR3-1866(1866Mbps)를 넘어서는 초고속 성능과 1.35V의 저전력 고속 DDR3L-1600(1600Mbps)를 실현한다.