엘피다의 대반격···세계 첫 25나노D램 양산

일본의 엘피다메모리가 세계최초로 25나노(1nm=10억분의 1m)D램 공정을 이용해 2기가비트 DDR3 SD램을 개발했다고 발표했다. 이어 오는 7월부터 칩 양산에 들어간다고 2일 자사 홈페이지와 보도자료를 통해 밝혔다.

엘피다측은 새로 개발된 25nm D램 기술은 30nm 공정에 비해 셀 면적을 30%나 줄일 수 있으며 이에따른 칩 생산성도 30%나 올라가게 됐다고 설명했다.

또 “25nm공정이 개발됐을 때 기존 30nm공정으로부터 25nm 양산 공정으로 전환하기 위한 설비투자비를 최소화하기 위해 구조적 변화가 요구됐다”고 밝혀 양산을 위한 준비가 상당히 진척됐음을 암시했다.

우리나라의 경우 삼성전자는 상반기에 30나노공정에서의 양산, 하반기에 20나노 공정에서의 양산을 계획중이다.

권오철 하이닉스사장은 올초 엘피다의 기술력에 대해 40나노 공정 수준에서 벗어나지 못한다고 평가한 바 있다.

엘피다는 이번 제품에 대해 “새로운 SD램은 PC나 각종 디지털기기에서 사용전력을 낮추어 환경친화적이라고 설명했다.

보도자료에 따르면 이번에 개발된 25나노공정의 반도체는 30나노공정의 제품에 비해 운영전력을 15%,대기전력을 20%가량 저감시켜 준다.

엘피다는 이어 올해 연말부터 이 25나노공정을 이용, 4기가비트 DDR3 SD램 제품을 양산하겠다고 밝혔다.

4기가비트 DDR3제품에 25나노공정을 사용할 경우 30나노공정을 사용할 경우보다 웨이퍼당 칩 생산 효율은 44%나 더 높아진다.

엘피다는 새로운 25나노공정은 엘피다의 주력 메모리제품인 모바일램TM(RAMTM)의 추가 개발을 지원하는데 사용될 것이라고 밝혔다.

25나노공정의 2Gb DDR3 SD램은 DDR3-1866(1866Mbps)를 넘어서는 초고속 성능과 1.35V의 저전력 고속 DDR3L-1600(1600Mbps)를 실현한다.