마이크론, 올해 24억달러 이상 투자

마이크론이 올해 투자 규모, 향후 신기술 개발 계획에 대해 입을 열었다. 마이크론은 낸드플래시 시장에서 하이닉스와 3위 다툼을 벌이고 있으며 미국 내 몇 남지 않은 굴지의 메모리 업체다.

10일(현지시간) EE타임즈는 반도체산업전략심포지엄(ISS)에 참석한 마크 더칸 마이크론 최고운영책임자(COO)를 만나 향후 게획을 보도했다. 이 보도에 따르면 올해 마이크론은 24억~29억달러 규모 투자를 계획하고 있다.

올해 삼성전자 반도체 시설투자 계획은 10조3천억원, 하이닉스는 3조4천억원으로 마이크론 투자 규모는 국내 업체에 크게 미달한다. 이에 대해 더칸 COO는 “더 현명하게 투자하도록 노력할 것”이라고 말했다.

마이크론은 낸드플래시는 20나노급, D램은 40나노급 양산 단계에 있다. D램 30나노급 제품을 연구개발중이다. 이외 노어플래시 분야에서는 선도업체로 분류된다. 이외에 더칸 COO는 "20나노급 D램제품 개발에도 나설 예정"이라고 설명했다.

다만 낸드플래시 미세공정 전환은 이제 한계치에 이른 것으로 보고 좀 더 천천히 가겠다는 입장이다.

더칸 COO는 450mm 웨이퍼 공정 전환에 대한 계획도 털어놨다. 마이크론은 200mm 웨이퍼 공정에서 300mm로의 전환은 마쳤지만 아직 450mm에서의 성과는 뚜렷하지 않은 것으로 알려졌다.

더칸 COO는 “450mm 웨이퍼 공정은 300mm 대비 2.5배의 비용감소 효과가 있을 것이지만 아직까지는 검증단계”라고 설명했다. 450mm 웨이퍼 공정으로 전환하려면 장비를 모두 이에 맞게 다시 개발, 도입해야 한다.

더칸 COO는 신기술인 실리콘 관통 전극(TSV) 기반 3D칩에 대해서는 “시제품을 고객들에게 제공하고 있다”며 “아직 이 분야에 정성을 많이 들이지는 못했지만 기술은 현실화 단계”라고 강조했다. 더칸 COO는 TSV 기반 3D 칩 대량 양산이 내년에는 가능할 것으로도 전망했다.