삼성전자, 세계 최초 30나노 D램 개발

삼성전자는 지난달 업계 최초로 30나노급 공정을 적용한 2기가비트(Gb) DDR3 D램을 개발, 올해 하반기부터 본격 양산할 계획이라고 1일 발표했다.

30나노급 D램은 지난해 1월 40나노급 D램을 개발한지 1년 만에 차세대 공정을 적용해 개발됐다. 이는 50나노에서 40나노급 공정 개발까지 2년 이상 걸린 것에 비해 시간을 절반 이상 단축했다는 의미를 가진다.

삼성전자는 지난해 12월 30나노급 2Gb DDR3 D램 단품과 노트북용 2GB 모듈 제품 샘플을 고객들에게 보내 1월 중순 평가 완료했다고 밝혔다. 이 회사는 30나노급 D램이 지난해 7월 삼성전자가 세계 최초로 양산에 들어간 40나노급 D램에 비해 생산성을 60% 정도 증가시킬 수 있고 50~60나노급 D램에 비하면 원가 경쟁력을 2배 이상 확보할 수 있을 것이라고 설명했다.

삼성전자에 따르면 30나노급 D램은 50나노급과 비교해 소비전력을 약 30%, 40나노급 D램에 비해서는 15% 이상 소비전력을 줄일 수 있다. 예를 들어 노트북에 30나노급 4기가바이트(GB) D램 모듈을 사용하면 시간당 전력 소비량이 약 3와트(W) 정도로 가정용 형광등 1개의 10%에 불과하다는 것. 이는 노트북 전체 소비전력의 3% 수준에 해당한다.

삼성전자는 이번 개발이 DDR3 시장 확대에 맞춰 친환경 제품으로 서버에서부터 노트북까지 '그린 메모리' 전략을 강화해 나가겠다는 의미라고 강조했다.

조수인 삼성전자 반도체사업부 메모리담당 사장은 삼성전자가 30나노급 2Gb DDR3 제품을 성공적으로 개발함으로써 제조 경쟁력의 격차를 1년 이상 벌려 놓았다며 30나노급 D램은 최고 성능의 친환경 솔루션을 제공하는 제품으로, 고객들과의 윈윈 관계를 더욱 강화시키는데 크게 기여할 것이며 이를 발판으로 세계 D램 시장의 성장과 함께 시장점유율을 지속적으로 확대해 나갈 계획“이라고 밝혔다.