인텔의 차세대 메모리 반도체인 P램(Phase-Change Memory: 상변화메모리)의 대중화가 눈앞에 다가왔다. 인텔및 인텔과 STM의 합작회사인 뉴모닉스가 새로운 P램을 만들었다고 28일(현지시간) 발표했다.
이 제품은 성능은 메모리 분야에서 썩 고급 제품이라고 말하기는 어려운 64메가비트 메모리다. 뉴모닉스는 이미 지난 2006년에 128Mb를 발표한 바 있고 삼성전자는 지난달부터 512Mb 칩을 양산하기 시작했다.
요약하면 이 P램은 전통 메모리의 빠른 정보처리속도와 플래시메모리 제작공정상의 비용경쟁력을 갖고 있다고 씨넷은 보도했다.
특히 이 제품은 그동안 아이디어로만 존재했던 기술을 상용화시켰다는 점에서 두 가지의 의미에서 평가를 받고 있다.
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첫 번째로 이 제품은 칩 내에서 전선의 그리드를 구현하고 있다. 이 방법을 통하면 컴퓨터가 쉽게 64메가급 메모리셀에 대해 각각 1과 0의 입력을 쉽게 제어할 수 있게 된다.
두 번째 의미는 공정과정에 있다. 이번에 발표된 공정과정을 살펴보면 각각의 다른 메모리가 주어진 크기 내에서 집적된 형태로 층을 이루도록 하고 있다.
