삼성전자, 내년 상반기 10나노급 7세대 '1d D램' 양산 준비

상반기 장비 도입 마치고, 내년 말께 초도 양산할 듯

삼성전자의 차세대 D램 양산 계획이 구체화되고 있다. 현재 복수의 협력사들과 7세대 10나노급(1d) D램 양산을 위한 장비 개발을 진행 중으로, 이르면 내년 2분기 도입을 목표로 하고 있는 것으로 파악됐다.

17일 업계에 따르면 삼성전자는 이르면 내년 상반기부터 1d D램에 대한 초도 양산 준비에 나설 예정이다.

삼성전자 평택사업장(사진=삼성전자)

1d는 회로 선폭이 10~11나노미터(nm) 수준인 D램이다. 현재 상용화된 가장 최신 세대인 6세대 10나노급(1c) D램의 경우 선폭이 11~12나노 수준으로 평가된다. 선폭이 좁을수록 D램의 성능 및 전력효율이 개선된다.

그간 삼성전자는 1d D램의 초기 샘플 제작 등 양산을 위한 내부 평가를 거쳐 왔다. 일각에서는 삼성전자가 이르면 올해 1d D램 양산에 나설 것으로 전망하기도 했으나, 현실성이 떨어진다는 지적이 제기된다. 1d D램 제조에 쓰일 주요 장비들이 아직 개발 단계에 머물러 있기 때문이다.

현재 삼성전자가 협력사와 논의 중인 1d D램용 양산 장비의 도입 목표 시점은 내년 2분기인 것으로 알려졌다. 실제 양산 준비에 필요한 시간을 고려하면, 삼성전자가 1d D램의 초도 양산에 나설 수 있는 시점은 빨라야 내년 말께로 분석된다.

반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 주요 협력사들과 1d D램의 수율 및 성능 안정화를 위한 연구개발을 적극 진행하고 있다"며 "일정은 변동될 수 있으나 내년 2분기 혹은 3분기에 양산장비를 도입하는 것이 목표"라고 설명했다.

또 다른 관계자는 "삼성전자의 1d D램은 비교적 개발 진척도가 높은 공정으로, 내년 양산이 시작될 수 있을 것으로 보고 있다"며 "올 연말께 계획이 구체화될 전망"이라고 말했다.

삼성전자의 1d D램은 자체 AI 메모리 사업에 있어 매우 중요한 역할을 차지할 것으로 기대된다. 특히 오는 2029년 상용화가 예상되는 9세대 고대역폭메모리(HBM5E)의 코어(Core) 다이로 채택될 예정이다.