삼성전자, 세계 최초 HBM4E 12단 샘플 출하…최대 16Gbps 구현

'이전 세대 적용' 1c D램·4나노 로직다이로 공정 안정성 확보

삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM) 시장 주도권 선점에 나선다. 지난 2월 HBM4(6세대 HBM) 양산 출하를 시작한 데 이어, 최근 HBM4E(7세대 HBM) 샘플을 세계 최초로 출하했다. 

삼성전자는 세계 최초로 'HBM4E 12단' 샘플을 글로벌 고객사에 공급했다고 29일 밝혔다. 

앞서 삼성전자는 지난 2월 업계 최고 속도를 구현한 HBM4 양산 출하에 성공한 바 있다. 불과 수개월 만에 차세대 HBM4E 공급을 개시하며 HBM 기술 리더십을 다시 한번 증명했다.

삼성전자는 "이번 HBM4E 공급은 단순한 제품 라인업 확대를 넘어, 향후 수년간 폭발적으로 성장할 글로벌 인공지능(AI) 인프라 시장에서 독보적 공급역량과 기술 우위를 확고히 하는 계기가 될 것"이라고 기대했다. 

삼성전자 HBM4E 12단 제품 (사진=삼성전자)

삼성전자 HBM4E는 설계·공정 최적화로 독보적 사양을 구현했다. 핀당 동작 속도는 14Gbps에서 최대 16Gbps까지 지원한다. 이는 전작 HBM4 대비 20% 이상 향상된 수치다. 

또한 단일 스택 기준 초당 3.6TB(테라바이트) 대역폭을 제공함으로써 대규모 언어 모델(LLM) 및 차세대 AI 시스템의 연산속도를 극대화했다. 

용량도 개선했다. HBM4E 12단 제품은 48GB(기가바이트) 고용량을 구현해 전작 대비 용량을 30% 이상 늘렸다. 향후 고객의 다양한 서비스 환경에 맞춰 32GB(8단), 64GB(16단)까지 라인업을 확대할 계획이다.

삼성전자는 "이번 제품의 가장 큰 차별점은 메커니즘의 완벽한 조화"라고 강조했다.

삼성전자는 "HBM4E는 전작 HBM4에서 이미 검증한 최선단 공정 기반의 1c(10나노급 6세대) D램과 자체 파운드리 4나노 로직 다이(Die)를 적용했다"며 "이를 통해 초미세 공정의 안정성을 극대화하고, 수율과 양산성을 확보했다"고 설명했다.

저전력 설계와 패키징 구조 최적화 기술을 집약해 전작 대비 에너지 효율은 16%, 열 저항 특성은 14% 이상 개선했다. 

삼성전자 HBM4E 12단 제품이 세계 최초로글로벌 고객사에 출하되는 모습(사진=삼성전자)

삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객 일정에 맞춰 양산 공급할 예정이다.

황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 "HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 독보적 기술 리더십을 시장에 확실히 각인시켰다"며 "앞으로도 압도적 기술 초격차와 선제 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장 성장을 주도하겠다"고 강조했다.

한편, 삼성전자는 지난 2월 세계 최초로 양산 출하한 HBM4도 양산량을 늘리고 있다. 

삼성전자는 "글로벌 고객들이 삼성전자 HBM4에 대해 속도와 전력효율 면에서 긍정적 평가를 내놓고 있다"며 "지난해 12월 HBM4는 최종 인증 단계인 SiP(시스템인패키지) 테스트에서 11.7Gbps의 업계 최고 수준 속도를 입증하며 최고 등급 평가를 받았다"고 밝혔다. 이어 "HBM4E와 동일한 1c D램과 4나노 베이스 다이 조합이 적용된 HBM4가 양산되고 있다는 점에서, 이번에 출하한 HBM4E 역시 양산 전환 가능성이 높다는 평가가 나온다"고 덧붙였다.