SK하이닉스, EUV 장비에 12조원 투자…차세대 D램·HBM 양산 준비

내년 말까지 최소 30대 이상 도입 전망…AI 메모리 수요 정조준

SK하이닉스가 최첨단 반도체 제조를 위한 극자외선(EUV) 설비에 대규모로 투자한다. 차세대 D램과 고대역폭메모리(HBM) 양산을 위한 움직임으로, 현재 구축 중인 신규 팹에 장비가 순차 도입될 전망이다. 

SK하이닉스는 24일 유형자산취득결정 공시에서 11조 9496억원 규모 극자외선(EUV) 장비를 도입한다고 밝혔다. 

SK하이닉스의 M15X 조감도.

투자 규모는 SK하이닉스 자산총액의 9.97%에 해당한다. 취득예정일자는 이달부터 내년 12월 31일까지다. 

SK하이닉스는 "취득가액은 EUV 스캐너 도입과 운영을 위한 신규 기계장치, 설치, 재고에 소요되는 총 예상금액"이라며 "취득물건은 총 2년에 걸쳐 취득할 예정으로, 개별 장비 취득 시마다 분할해 대금을 집행할 예정"이라고 밝혔다.

EUV는 반도체 웨이퍼에 회로를 새기는 노광 공정에 쓰이는 광원이다. 기존 반도체 노광공정 소재인 ArF(불화아르곤) 대비 빛의 파장이 13분의 1 수준으로 짧아(13.5나노미터), 초미세 공정 구현에 용이하다.

현재 EUV 장비는 네덜란드 반도체 장비기업 ASML이 독점 생산하고 있다. 기술 난도가 매우 높아 장비도 비싸다. 최신 설비 가격은 3000억원 수준인 것으로 알려졌다.

이를 고려하면 SK하이닉스는 내년까지 EUV 설비를 최소 30대 이상 도입할 것으로 예상된다. 현재 SK하이닉스는 청주 M15X 팹을 건설하고, 올해부터 설비를 본격 도입하고 있다. 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹은 내년 2월 클린룸 오픈 후 설비 반입이 목표다.

EUV 공정의 핵심 적용처는 1c(6세대 10나노급) D램이다. 앞서 SK하이닉스는 1a(4세대 10나노급) D램의 1개 레이어에 EUV를 처음 적용한 바 있다. 이후 1b D램에서는 이를 4개까지 확대했으며, 1c D램에는 더 많은 EUV 레이어를 적용한다.

1c D램은 SK하이닉스의 차세대 모바일·서버용 D램은 물론, 인공지능(AI) 데이터센터의 핵심 요소인 고대역폭메모리(HBM)에도 적용된다. 내년 양산이 본격화될 HBM4E(7세대 HBM)부터 1c D램을 첫 채택할 계획이다.