마이크론, 엔비디아 '베라 루빈'향 HBM4 공급 공식화…"1분기 대량 양산"

핀당 속도 11Gb/s 이상 구현…최근 불거진 성능 논란 반박

반도체ㆍ디스플레이입력 :2026/03/17 09:01

미국 메모리 기업 마이크론이 최근 불거진 고대역폭메모리(HBM) 성능 논란에 대해 정면 반박했다. 엔비디아의 최신 AI 가속기향으로 개발한 자사 HBM4(6세대 HBM)가 대량 양산(High-Volume Production) 체제에 돌입했음을 공식적으로 밝혔다.

마이크론은 엔비디아 '베라 루빈(Vera Rubin)'향으로 36GB 12단 HBM4의 양산을 올 1분기 시작했다고 16일(현지시간) 밝혔다.

마이크론은 "HBM4를 통해 11Gb/s 이상의 핀 속도를 달성해 2.8TB/s 이상의 대역폭을 제공한다"며 "이는 HBM3E 대비 2.3배의 대역폭과 20% 이상의 전력 효율성 향상을 의미한다"고 설명했다.

마이크론 HBM4(사진=마이크론)

또한 마이크론은 HBM4 16단 샘플을 고객사에 출하했다. 16단 HBM은 내부의 각 D램을 더 밀도있게 적층해야 하기 때문에, 고도의 패키징 기술이 요구된다.

수밋 사다나 마이크론 수석 부사장은 "엔비디아와의 긴밀한 협력을 통해 컴퓨팅과 메모리가 처음부터 함께 확장될 수 있도록 설계하고 있다"며 "이러한 혁신의 핵심에는 AI의 엔진인 마이크론의 HBM4가 있고, 이는 전례 없는 대역폭과 용량, 전력 효율성을 제공한다"고 밝혔다.

그는 이어 "HBM4와 업계 최초의 SOCAMM2 및 Gen6 SSD가 대량 생산에 돌입하면서, 마이크론의 메모리와 스토리지는 차세대 AI의 잠재력을 최대한 발휘할 수 있는 핵심 기반을 형성한다"고 강조했다.

마이크론의 이번 발표는 최근 불거진 HBM4 성능 논란을 불식시키기 위한 것으로 풀이된다.

앞서 반도체 업계는 마이크론의 엔비디아향 HBM4 상용화 일정이 다소 지연될 것이라는 의견을 제기해 왔다. 엔비디아가 HBM4에 필요한 성능 기준을 강화하면서, 국내 기업 대비 뒤쳐진 공정을 채택한 마이크론이 기술적으로 한계에 부딪혔다는 시각에서다.

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마이크론은 HBM4에 HBM3E와 마찬가지로 1b(5세대 10나노급) D램을 코어 다이로 활용한다. 컨트롤러 역할의 베이스 다이도 기존과 마찬가지로 D램 공정에서 양산한다. 현재 삼성전자는 자사 파운드리 4나노미터(nm) 공정을, SK하이닉스가 TSMC 12나노 공정을 활용하고 있다.

한편 마이크론의 SOCAMM2는 엔비디아 베라 루빈 NVL72 시스템 및 독립형 엔비디아 베라 CPU 플랫폼 용으로 설계됐다. CPU 당 최대 2TB의 메모리와 1.2TB/s의 대역폭을 지원한다.