인피니언, 토요타 신규 모델 'bZ4X'에 SiC 전력반도체 공급 예정

SiC 소재 장점으로 주행거리 늘리고 충전 시간 단축

인피니언 테크놀로지스는 자사의 'CoolSiC MOSFET(실리콘 카바이드 전력 MOSFET)'이 토요타의 신규 bZ4X 모델에 채택됐다고 10일 밝혔다. 

인피니언의 CoolSiC MOSFET은 독자적인 트렌치 게이트 구조를 통해 온 저항과 칩 크기를 줄여 전도 손실과 스위칭 손실을 모두 감소시켜 자동차 전력 시스템의 효율을 향상시킨다.

토요타 bZ4X 모델(사진=토요타)

또한 기생 커패시턴스와 게이트 임계 전압을 최적화해 유니폴라 게이트 구동을 가능하게 해, 전기 구동계의 구동 회로를 단순화하고 OBC 및 DC/DC 컨버터의 고집적·고신뢰 설계를 지원한다.

피터 셰퍼 인피니언 오토모티브 영업 총괄 수석 부사장은 “세계 최대 자동차 제조사 중 하나인 토요타가 인피니언의 CoolSiC 기술을 선택한 것을 매우 자랑스럽게 생각한다"며 "인피니언은 지속적인 혁신과 무결점(zero-defect) 품질에 대한 헌신과 노력을 바탕으로 전동화 분야에서 증가하는 전력 반도체 수요에 효과적으로 대응할 수 있는 입지를 갖추고 있다"고 말했다.