SK하이닉스가 미래 메모리 시장을 주도하기 위한 핵심 과제로 HBM(고대역폭메모리) 패키징 기술 고도화, 칩렛 기반의 이종 결합 기술 확보 등을 제시했다.
14일 SK하이닉스는 공식 뉴스룸을 통해 이강욱 SK하이닉스 부사장(PKG개발 담당)이 지난 13일 강원도 정선에서 열린 제32회 한국반도체학술대회(KCS)에서 제8회 강대원상(소자/공정 분야)을 수상했다고 밝혔다.
모스펫, 플로팅게이트 개발 등 반도체 산업에 기념비적 발자취를 남긴 故 강대원 박사의 업적을 기리고자 제정된 이 상은 그동안 반도체 전공정인 소자 및 공정 분야의 저명한 교수들에게 수여돼 왔다. 올해는 후공정인 ‘반도체 패키징 분야의 기업인’에게 최초로 수여돼 많은 관심을 받고 있다.
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이 부사장은 글로벌 학계 및 업계에서 3차원 패키징 및 집적 회로 분야에 대한 연구 개발을 27년 이상 이어 온 반도체 패키징 분야의 최고 기술 전문가다.
2000년 일본 도호쿠 대학에서 박사 학위를 받은 그는 미국 렌슬리어 공과대학 박사 후 연구원, 일본 도호쿠 대학 교수를 거쳐 2018년 SK하이닉스에 합류했다. 국내 최초로 TSV(실리콘관통전극) 기술 개발에 성공한 이 부사장은 SK하이닉스 입사 후 HBM2E(3세대 고대역폭메모리)에 MR-MUF(매스 리플로우-몰디드 언더필) 기술을 적용하며 ‘AI 메모리 성공 신화’의 기틀을 마련했다는 평가를 받는다.
이 부사장은 "SK하이닉스의 독자적 패키징 기술인 MR-MUF는 고난도의 HBM 제품을 높은 제조 수율과 양산성을 가지고 안정적으로 대량 생산할 수 있도록 해줬고, 핵심 특성인 열 방출 성능도 개선해 줬다"며 "HBM3 및 HBM3E에도 성공적으로 적용되면서, SK하이닉스가 HBM 시장 우위를 굳건히 하는 데 큰 힘이 됐다"고 밝혔다.
그는 굵직한 공적만큼 특출한 수상 이력도 자랑한다. 지난해에는 한국인 최초로 ‘IEEE EPS 어워드 전자제조기술상’을 받기도 했다. 올해는 강대원상이라는 이력을 추가했는데, 그는 이번 수상이 특히 각별하다는 소감을 전했다.
이 부사장은 “업계에서도 의미가 큰 상을 받게 돼 영광이다. 무엇보다 SK하이닉스의 위상 그리고 PKG개발 조직의 높은 역량을 인정받은 듯해 보람차다"며 "과분한 상이지만 반도체 산업 발전에 더 많이 기여하라는 뜻으로 생각하고, 함께 노력해 준 PKG개발 구성원분들에게도 감사 인사를 전한다"고 말했다.
한편 이 부사장은 미래 시장에 대응하기 위해 두 가지 계획을 마련해 뒀다. ▲HBM 패키징 기술 고도화 ▲칩렛 기반 이종 결합 기술의 확보 등이다.
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이 부사장은 “AI 시스템의 대용량·고성능·에너지 효율화 요구를 충족하려면 HBM 패키징 기술의 지속적 혁신이 필요하다. 이를 위해 MR-MUF 기술 고도화, 하이브리드 본딩 등 차세대 기술 개발에 역량을 쏟고 있다"며 "중장기적으로는 칩렛 기술로 2.5D, 3D SiP(시스템-인-패키지) 등을 구현해 메모리 센트릭에 대응할 것"이라고 강조했다.
그는 이어 "이 과정에서 팬아웃 웨이퍼 레벨 패키징, 하이브리드 본딩 등으로 칩 간 연결성을 높여 성능을 향상시키고 에너지 효율을 높이는 ‘첨단 패키징 기술’을 확보해 나가고자 한다"고 덧붙였다.