삼성전자는 31일 2024년 4분기 실적발표를 통해 올해 2나노미터(nm) 파운드리 공정 제품의 양산을 추진하겠다고 밝혔다.
2나노 공정은 반도체 올해 본격적인 상용화를 앞둔 최첨단 파운드리 공정이다. 삼성전자는 모바일 및 HPC(고성능컴퓨팅) 응용처에 최적화된 2나노 공정을 개발해 왔다.
2나노 1세대 공정은 성숙도 개선을 기반으로 지난해 상반기 1.0 버전의 PDK(프로세스 설계 키트)를 배포했다. PDK는 파운드리의 고객사인 팹리스가 반도체 설계에 필요한 정보 전반을 담은 소프트웨어다.
또한 삼성전자는 성능을 개선한 2나노 2세대 공정의 1.0 버전 PDK도 올 상반기 고객사에 배포할 예정이다. 해당 공정의 양산 목표 시기는 2026년이다.
삼성전자는 "현재 주요 고객사와 제품 PPA(성능·전력·면적) 평가 및 MPW(멀티프로젝트웨이퍼)를 진행 중으로, 일부 고객사의 경우 제품 수준의 설계를 시작했다"며 "모바일, HPC, 오토 등 다양한 응용처의 티어 1 고객과 수주를 논의 중"이라고 밝혔다.
관련기사
- 삼성전자 "레인보우로보틱스와 휴머노이드 로봇 개발 가속화 것"2025.01.31
- 삼성전자 CFO "위기마다 극복하며 성장…단기간내 이슈 해결하겠다"2025.01.31
- 삼성전자, 올해 HBM 공급량 전년 대비 '2배 성장' 목표2025.01.31
- 삼성전자 "올해 HBM·2나노 강화하겠다"2025.01.31
회사는 이어 "당사의 GAA(게이트-올-어라운드) 공정 경쟁력을 기반으로 차별화된 어드벤스 패키지 기술과 관련 요소 기술로 확대 추진 중"이라고도 밝혔다.
GAA는 전류가 흐르는 채널을 3면으로 활용하던 기존 핀펫(FinFET)과 달리, 4면을 활용해 성능 및 전력효율성을 높인 트랜지스터 구조다. 삼성전자는 이를 3나노 공정에 선제 적용한 바 있다. 주요 경쟁사인 TSMC는 2나노부터 GAA를 적용하기로 했다.