美 정부, SiC 반도체 '울프스피드'에 1조원 보조금 지급

전기차용 SiC 반도체 웨이퍼 및 소자 제조업체

미국 상무부는 15일(현지시간) 반도체지원법에 따라 자국 반도체 기업 울프스피드에 7억5천만달러(약 1조235억원)의 보조금을 지급하는 예비양해각서(PMT)를 체결했다.

1987년 노스캐롤라이나에서 설립된 울프스피드는 실리콘카바이드(SiC) 웨이퍼와 반도체를 제조하는 업체다. SiC는 기존 실리콘(Si) 소재로 만든 전력반도체보다 전력 효율이 높고 내구성이 뛰어나 전기차, 태양광 인버터 시장에서 각광받는 반도체다.

울프스피드가 제조한 웨이퍼 (사진=울프스피드)

울프스피드는 반도체 보조금을 노스캐롤라이나 실러시티에 위치한 200mm SiC 웨이퍼 제조 공장에 사용할 예정이며, 이를 통해 5천개 일자리가 창출될 것으로 기대된다.

이날 지나 러몬도 상무부 장관은 "인공기능, 전기차, 청정에너지는 21세기를 정의하는 기술"이라며 "울프스피드의 투자 계획 덕분에 바이든·해리스 정부는 반도체의 미국 생산을 재점화하는 데 있어서 의미 있는 한 발을 내디디고 있다"고 밝혔다.

그렉 로위울프스피드 최고경영자(CEO)는 성명을 통해 "오늘의 발표는 울프스피드가 미국 경제 및 국가 안보 이익에 중요한 기업이라는 것을 증명한다"고 전했다.

미국 정부가 2022년에 만든 반도체법은 미국 내 반도체 투자를 장려하기 위해 생산 보조금(390억 달러)과 연구개발(R&D) 지원금(132억 달러) 등 5년간 총 527억달러(75조5000억원)를 지원하는 내용이다. 이를 통해 미국은 2030년까지 전 세계 최첨단 반도체 생산량의 20% 차지를 목표로 한다.

앞서 미국 정부는 지난 4월 한국 삼성전자 미국 텍사스주 공장에 반도체 설립 보조금으로 64억 달러(약 8조8505억원)를 지원한다고 발표했다.  지난 7월 SK하이닉스는 인디애나주 반도체 패키징 시설 투자에 4억5천만 달러(약 6천200억원)의 직접 보조금과 5억 달러의 대출 지원을 받는다고 밝혔다.

그 밖에 마이크로칩 테크놀로지가 1억6200만 달러, 미국 파운드리 업체 글로벌파운드리가 15억 달러, 인텔이 85억 달러와 최대 110억 달러의 대출 지원, 대만 TSMC가 66억 달러의 보조금과 50억 달러 최대 대출 50억 달러 등을 각각 받게 됐다.