로이터통신은 24일 삼성전자 HBM3E(5세대 고대역폭메모리)이 아직 대형 고객사 엔비디아의 퀄테스트(납품 테스트)를 통과하지 못했다고 보도했다.
로이터는 3명의 소식통을 인용해 "삼성전자의 최신 HBM3E는 열과 전력 소비 문제로 인해 엔비디아 AI 프로세서의 퀄테스트에 통과하지 못하고 테스트 중"이라고 전했다.
소식통은 "삼성은 작년부터 HBM3 및 HBM3E에 대한 엔비디아의 테스트를 통과하려고 노력했으나, 지난 4월 삼성의 8단 및 12단 HBM3E 칩에 대한 테스트 실패 결과가 나왔다"고 말했다.
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삼성전자는 로이터 통신에 보낸 성명에서 "HBM은 '고객 요구에 따른 최적화 프로세스'가 필요한 맞춤형 메모리 제품이라며 고객과의 긴밀한 협력을 통해 제품 최적화를 진행 중"이라고 밝혔다. 특정 고객에 대해서는 언급을 거부했다.
HBM은 여러 개 D램을 수직으로 연결해 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 차세대 메모리다. 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품으로 AI 반도체에 활용도 높다. HBM은 1세대(HBM)·2세대(HBM2)·3세대(HBM2E), 4세대(HBM3) 제품 순으로 공급됐으며, 올해 상반기부터 5세대(HBM3E) 양산이 시작됐다.
