삼성전자, 美 반도체 보조금 9조원 받는다…"2나노 칩도 생산"

인텔·TSMC 이어 세번째 규모...파운드리 2팹·첨단 패키징·R&D 센터 추가 투자

미국 정부가 15일(현지시간) 삼성전자 텍사스주 공장에 반도체 설립 보조금으로 64억 달러(약 8조8505억원)를 지원한다고 발표했다. 이는 미국 인텔(85억 달러), 대만 TSMC(66억 달러)에 이어 세번째로 많은 보조금 규모이며, 당초 업계가 예상했던 20~30억 달러보다 3배 가까이 증가한 액수다. 이날 삼성전자는 건설 중인 1공장 외에 추가로 2나노미터(nm) 칩을 생산하는 2공장 건설을 결정했다.

삼성전자 미국 텍사스주 테일러시에 건설 중인 파운드리 팹(사진=경계현 SNS)

지나 러몬도 미 상무부 장관은 전날(14일) 백악관 출입기자단을 대상으로 진행한 브리핑에서 "반도체법에 의거해 삼성전자에 64억 달러의 보조금을 제공할 예정"이라며 "삼성전자의 투자 프로젝트는 텍사스주(州)를 최첨단 반도체 생태계로 발전시킬 전망이다"고 강조했다.

삼성전자는 텍사스주 테일러에 2022년 상반기부터 반도체 파운드리 공장을 건설 중이다. 테일러 공장은 최첨단 4나노미터(nm) 공정을 활용해 반도체를 생산한다. 삼성전자는 이곳에서 미국 AI 반도체 스타트업인 그로크의 차세대 칩, 캐나다 텐스토렌트의 AI 칩을 4나노(SF4X) 칩렛 공정으로 생산할 계획을 공식적으로 밝힌 바 있다.

오늘 미국 정부의 파격적인 보조금 발표에 삼성전자는 대미(對美) 투자액을 기존 170억 달러(약 23조4000억원)에서 400억 달러(약 55조3000억원)으로 대폭 늘리기로 결정했다.

테일러에 2나노 공정 칩을 생산하는 2공장을 추가로 건설하고, 첨단 패키징(조립) 시설 및 반도체 연구·개발(R&D) 센터도 만들겠다고 합의했다. 파운드리 팹은 2026년부터 생산되며, 첨단 패키징 시설 및 R&D 센터 등을 2027년 가동을 목표로 한다.

아울러 삼성전자는 미 국방·안보 분야와 관련된 부처들로부터 직접 반도체를 '맞춤 수주'를 받고 생산·공급하기로 하기로 협력을 맺었다.

레이얼 브레이너드 백악관 국가경제위원회(NEC) 위원장은 "삼성이 항공·우주, 방위, 자동차 등 미국의 핵심 산업에 사용되는 반도체를 생산함으로써 미국의 국가 안보를 강화할 수 있을 것으로 기대된다"며 "미 정부는 삼성전자의 투자로 건설 일자리가 최소 1만7000개, 제조업 일자리가 4500개 창출될 것"이라고 전망했다.

(그래픽=지디넷코리아 박은주)

삼성전자가 미국 정부로부터 받는 반도체 보조금은 미국 반도체법의 일환이다. 미국 정부가 2022년에 만든 반도체법은 미국 내 반도체 투자를 장려하기 위해 생산 보조금(390억 달러)과 연구개발(R&D) 지원금(132억 달러) 등 5년간 총 527억달러(75조5000억원)를 지원하는 내용이다. 이를 통해 미국은 2030년까지 전 세계 최첨단 반도체 생산량의 20% 차지를 목표로 한다.

앞서 미국 상무부는 ▲지난해 12월 F-35 등 미군 전투기용 반도체를 만드는 영국 방산업체 BAE시스템스에 3500만 달러 ▲올해 1월 미국 반도체업체인 마이크로칩 테크놀로지에 1억6200만 달러 ▲2월 미국 파운드리 업체 글로벌파운드리에 15억 달러 ▲3월 미국 인텔에 85억 달러와 최대 110억 달러의 대출 지원 ▲4월 대만 TSMC에 66억 달러의 보조금과 50억 달러 최대 대출 50억 달러 등 총 6개 기업에 반도체 보조금 지원을 발표한 바 있다.