ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)는 차세대 임베디드 프로세싱 기기를 지원하기 위해 ePCM(embedded Phase Change Memory)을 탑재한 18나노미터(nm) FD-SOI(Fully Depleted Silicon On Insulator) 기술 기반의 첨단 프로세스를 21일 발표했다.
ST와 삼성 파운드리가 공동 개발한 이 새로운 프로세스 기술은 임베디드 프로세싱 애플리케이션의 성능과 전력 소모를 위해 가격 경쟁력을 높이는 동시에 더 큰 메모리 용량과 아날로그 및 디지털 주변 장치를 한증 더 높은 수준으로 통합하게 해준다.
전력 성능은 기존 ST 40nm eNVM(embedded Non-Volatile Memory) 대비 50% 이상 향상됐다. 또한 2.5배 더 높은 NVM(Non-Volatile Memory) 밀도로 더 큰 온칩 메모리 구현이 가능하다.
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이 새로운 기술에 기반한 최초의 차세대 STM32 마이크로컨트롤러는 2024년 하반기에 일부 고객을 대상으로 샘플을 제공할 예정이며, 2025년 하반기에 본격 생산될 예정이다.
레미 엘 우아잔 ST 마이크로컨트롤러, 디지털 IC 및 RF 제품 그룹 사장은 “ST는 반도체 업계를 선도하는 혁신 기업으로서, 자동차 및 항공우주 애플리케이션을 지원하는 FD-SOI 및 PCM 기술을 개발해 고객에게 제공해 왔다"며 "이제 차세대 STM32 마이크로컨트롤러를 출발점으로 삼아 다음 단계로 나아가면서 산업용 애플리케이션 개발자에게 이러한 기술의 이점을 제공하고자 한다”고 밝혔다.
