로옴(ROHM) 주식회사는 스위칭 손실을 크게 낮춘 100V 내압 쇼트키 배리어 다이오드(이하 SBD) 'YQ 시리즈'를 개발했다고 27일 밝혔다.
YQ 시리즈는 다양한 회로에 대응 가능한 4종류의 기존 SBD 시리즈에 이어, 새로운 시리즈로서 로옴의 다이오드 중에서는 처음으로 트렌치 MOS 구조를 채용했다.
독자적인 구조 설계를 통해 업계 최고 수준의 trr(15ns)을 실현했다. 이를 통해 트렌치 MOS 구조를 채용한 일반품 대비 역회복 시간(trr) 자체의 손실을 약 37％, 스위칭 손실 전체를 약 26％ 삭감해 어플리케이션의 저소비전력화에 기여한다.
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또한 트렌치 MOS 구조 채용으로 순방향 인가 시에 손실이 되는 순방향 전압(VF)과 역방향 인가 시에 손실이 되는 역방향 전류(IR)를 모두 플래너 구조의 기존 SBD에 비해 개선했다. 이에 따라 정류 용도 등의 순방향으로 사용할 때의 전력 손실과 SBD에서 가장 우려되는 열폭주 리스크를 저감한다.
이런 특징을 기반으로 YQ 시리즈는 발열이 발생하기 쉬운 차량용 LED 헤드램프의 구동 회로 및 xEV용 DC-DC 컨버터 등 고속 스위칭 어플리케이션에 적합하다. 신제품은 이달 12월부터 전 제품 양산을 개시했다.
