삼성전자 파운드리, 내년 전력반도체 시제품 지원 확대

90나노 BCD 공정 MPW 서비스 시작...MPW 3회 늘려 총 32회 지원

삼성전자가 내년부터 팹리스 기업에 차세대 전력 반도체 시제품 생산 지원을 확대한다.

8일 업계에 따르면 삼성전자는 내년 처음으로 8인치 BCD(Bipolar CMOS DMOS) 90나노 공정에서 멀티프로젝트웨이퍼(MPW) 서비스를 시작한다. 주로 고성능 전력반도체를 생산하는 BCD 90나노 공정 MPW는 내년 4월, 10월 총 2회 제공될 예정이다. 삼성전자는 올해 BCD 130나노 공정으로 MPW를 지원해 왔다.

웨이퍼(사진=삼성전자)

더불어 삼성전자는 내년 MPW 서비스 횟수를 총 32회(12인치 18회, 8인치 14회)로 제공하기로 확정하고 세부 스케줄을 협력사에 공유했다. 이는 올해 제공한 MWP 횟수 29회(8인치 12회, 12인치 17회) 보다 3회 더 늘린 것이다.

MPW 서비스는 한 장의 웨이퍼에 다양한 종류의 반도체를 찍어 만드는 것을 말한다. 팹리스 업체는 설계한 반도체를 출시하기에 앞서 파운드리(생산라인)에서 시제품을 만드는 MPW 과정을 거친다. 그 다음 고객사에 첫 공급을 하고, 주문이 확정된 후 대량 양산에 들어간다. 파운드리 업체의 MPW 서비스 할당이 많을수록 팹리스 기업들이 시제품을 생산할 기회가 많아지게 되는 셈이다. 따라서 삼성전자가 내년 MPW 횟수를 늘리고 새로운 공정을 지원한다는 것은 팹리스 기업에게 희소식이다.

삼성전자 파운드리 공정 기술은 ▲로직노드(3나노부터 180나노까지) ▲스페셜티(IoT, 오토모티브, 이미지센서 등에 특화된 공정)로 나뉘는데, BCD 공정은 스페셜티에 포함된다. BCD 공정은 아날로그 신호 제어를 위한 바이폴라(Bipolar), 디지털 신호 제어를 위한 상호보완모스(CMOS), 고전력 처리를 위한 이중확산모스(DMOS)를 하나의 칩에 구현하는 기술이다. 이런 특징으로 BCD는 가전, 산업, 자동차에서 사용되는 고성능 전력반도체를 생산하는데 사용된다.

최근 전력 반도체 수요가 증가하는 가운데 팹리스 기업은 BCD 공정 MPW를 통해 차세대 칩 생산을 앞당길 수 있을 것으로 기대된다.

한편, 최시영 삼성전자 파운드리사업부 사장은 지난 10월 독일 뮌헨에서 개최한 '삼성 파운드리 포럼'에서 8인치 BCD 공정 포트폴리오를 강화한다고 밝힌 바 있다. 특히 전기차, 자율주행차를 위해 전장(차량용) BCD 공정 개발에 박차를 가한다는 목표다.

삼성전자는 "현재 양산중인 130나노 전장 BCD 공정을 2025년 90나노까지 확대할 계획"이라며 "90나노 전장 BCD 공정은 130나노 대비 약 20% 칩 면적 감소가 기대된다"고 전했다.