TI, 美 유타주서 신규 300mm 반도체 웨이퍼 공장 착공

신규 팹, 기존 300mm 웨이퍼 팹 LFAB과 통합 운영될 예정

텍사스 인스트루먼트(TI)는 미국 유타주 리하이에서 새로운 300mm 반도체 웨이퍼 제조 공장(팹) 착공식을 개최했다고 6일 밝혔다. 

착공식에는 하비브 일란(Haviv Ilan) TI 사장 겸 CEO, 스펜서 콕스(Spencer Cox) 유타주 주지사를 비롯한 지역사회 주요 관계자들이 참석했다.

새로운 팹인 'LFAB2'는 유타주 리하이에 위치한 기존 300mm 웨이퍼 팹인 LFAB과 통합하여 운영될 예정이다. 두개의 TI 유타주 팹이 완공된 후에는 매일 수천만 개의 아날로그 칩과 임베디드 프로세싱 칩이 생산될 예정이다.

하비브 일란 TI 사장 겸 CEO, 스펜서 콕스 유타주 주지사 및 지역사회 관계자들이 착공식을 진행하는 모습(사진=TI)

일란 CEO는 "이번에 신설되는 팹은 고객들의 수요에 대응하고 자체 제조 역량을 구축하기 위한 TI의 장기적인 300mm 제조 로드맵의 일환"이라며 "유타주 지역사회의 성장하는 일원으로서 오늘날 대부분의 모든 전자 시스템에 필수적인 아날로그 및 임베디드 프로세싱 반도체를 제조하게 된 것을 자랑스럽게 생각한다"고 말했다.

TI는 지난 2월에 유타주에 110억 달러 투자 계획을 발표했으며, 이는 유타주 역사상 최대 규모의 경제 투자에 해당한다. LFAB2 건설로 약 800개의 TI 임직원 고용 효과 및 수천 개의 간접적인 일자리가 창출될 것으로 전망되며, 이르면 2026년에 첫 생산이 가능할 것으로 예상된다.

한편 TI는 텍사스주 셔먼에도 4개의 새로운 300mm 웨이퍼 팹(SM1, SM2, SM3, SM4)을 건설 중이며, 이르면 2025년에 첫 번째 팹이 첫 생산을 시작할 예정이다.

TI는 "회사의 이 같은 투자는 반도체 및 과학법(CHIPS and Science Act) 지원을 받을 것으로 예상된다"며 "아날로그 및 임베디드 제품의 안정적인 공급을 보장할 것"이라고 밝혔다.