SK하이닉스, HBM 경쟁 자신감…"1등 DNA로 시장 제패"

지난 달 세계 최초 HBM3E 개발…성능·전력효율 향상

SK하이닉스가 인공지능(AI) 산업의 핵심 요소인 HBM(고대역폭메모리) 시장 주도권을 확고히 하겠다는 자신감을 드러냈다.

19일 SK하이닉스는 공식 뉴스룸을 통해 지난 8월 개발한 5세대 HBM인 'HBM3E'의 주요 개발진과의 인터뷰 내용을 공개했다.

HBM3E 개발 주역 엔지니어들이 HBM3E 칩을 들고 포즈를 취하며 자랑스러워하고 있다. 왼쪽부터 이재승 HBM 디자인 TL, 홍양숙 HBM PE TL, 황현 D램상품기획 TL, 하경무 HBM PKG제품 TL, 박온전 D램개발 TL(사진=SK하이닉스)

HBM3E는 이전 세대인 HBM3 대비 속도는 1.3배, 용량은 1.4배 향상됐다. 특히 핀당 처리 속도 최고 9.2Gbps, 초당 최고 1.15TB(테라바이트)를 넘는 데이터 처리 속도를 기록하며, HBM 제품 최초로 TB의 벽을 넘어섰다. 이는 FHD급 영화(5GB) 230편 이상 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다.

HBM3E는 HBM3 대비 용량도 개선됐다. 8단 적층으로 12단 적층 HBM3와 동일한 용량을 확보해, 향후 12단 적층 제품 개발 시 용량이 한층 더 커지게 된다. 또한 방열 소재 및 관련 패키지 기술을 강화해 열 방출 성능이 이전 세대 대비 10% 향상됐다.

또한 HBM3E는 국제반도체표준화기구(JEDEC) 규격 기준 HBM3와 패키지 외관과 구조가 동일하다. 따라서 별도의 구조 변화 없이 HBM3를 염두에 두고 구성한 시스템이나 설계에서 HBM3E를 그대로 적용할 수 있는 하위 호환성을 갖췄다.

SK하이닉스는 "HBM3E 개발진은 글로벌 고객사들의 기대에 부응하고자 공정 개선의 어려움에도 개발 일정을 앞당기는 강수를 뒀다"며 "고객사의 높은 관심으로 샘플 요청 수량도 늘어난 바 있다"고 설명했다.

이어진 인터뷰에서 HBM3E 개발진은 "SK하이닉스가 지닌 '1등 DNA'로 AI용 메모리 시장 제패하겠다"는 강한 자신감을 드러냈다.

황현 D램상품기획 TL은 “고객의 니즈에 따라 속도, 용량, 발열 제어 측면에서 개선된 신제품 개발에 착수, 세계 최초로 HBM3E 개발에 성공했다"며 "고객사 피드백을 적극 반영한 덕에 시장 반응 역시 상당히 긍정적"이라고 말했다.

이재승 HBM 디자인 TL은 “초당 TB라는 속도의 벽을 이제 막 넘어섰지만, 다음 단계는 지금까지 달성한 것 이상으로 훨씬 더 어려워질 것”이라며 “HBM은 당연히 SK하이닉스가 1등이라는 시각이 때로는 부담스러울 때도 있지만, 결국에 우리는 해낼 거라는 자신감이 앞선다”고 밝혔다.