美, 반도체 소재‧장비도 보조금 받으면 "초과 이익 공유"

3억 달러 이상 투자할 경우…R&D 시설투자 보조금 지원 계획은 추후 발표

미국에 3억 달러(3천930억 원) 이상 반도체 소재‧장비 제조시설을 투자하고 정부 보조금을 받을 경우, 초과이익을 미국 정부와 공유해야 한다는 규정이 발표됐다. 이는 지난 2월에 발표된 반도체 제조시설 투자의 보조금 지급 기준과 동일한 내용이다. 

미국 상무부는 23일 오후 6시(한국시간) 반도체과학법(반도체법) 중에서 대규모(3억 달러 이상) 소재‧장비 제조시설 및 웨이퍼 제조시설 투자에 대한 보조금 세부 지원계획을 공고했다.

조 바이든 미국 대통령(오른쪽)이 2022년 3월 9일(현지시간) 미국 워싱턴 백악관에서 반도체 회의를 주재하고 있다.(사진=로이터=뉴스1)

보조금 세부 지원 규정은 지난해 8월 발효된 미국의 반도체법(CHIPS and Science Act)에 따른 후속조치다. 미국 정부는 반도체 산업 재정지원에 527달러(시설투자 인센티브 390억 달러 포함), 투자세액공제 25% 등을 지원한다. 반도체법에 따라 상무부에서 운영하는 재정 인센티브는 ▲반도체 제조시설 ▲반도체 소재‧장비 제조시설 ▲R&D 시설 투자에 대한 지원으로 구성돼 있다.

금번 발표는 지난 2월 28일에 발표한 반도체 제조시설 투자에 대한 세부 지원계획에 이어서 두 번째로 발표된 세부 지원계획이다. 3억 달러 미만의 소규모 소재‧장비 제조시설 및 R&D 시설에 대한 지원기준은 추후 발표될 예정이다.

3억 달러 이상 소재‧장비 제조시설 및 웨이퍼 제조시설에 대한 재정 인센티브의 세부 지원계획은 지난 2월 28일에 발표한 세부 지원계획과 동일한 지원 기준을 담고 있다.

미국으로부터 3억 달러 이상 보조금을 받는 기업은 예상을 초과하는 이익을 낼 경우 미국 정부와 공유해야 한다. 또 중국과 공동 연구 또는 기술 라이선스를 할 경우 지원금 전액을 반환해야 하고, 공장 직원과 건설 노동자에 보육 서비스를 제공해야 한다는 요구사항도 포함된다. 

단, 보조금 수령 규모가 1억5천만 달러 미만인 경우에는 초과이익 공유와 보육프로그램 마련 등은 적용되지 않는다.

국내 기업으로는 SK실트론이 반도체법에 따른 보조금을 신청할지 여부가 주목된다. 반도체 웨이퍼를 제조하는 SK실트론은 2020년 미국 듀폰 사의 실리콘카바이드(SiC) 웨이퍼 사업부를 인수한 뒤 미국에서 매년 설비투자를 집행해 왔다.

산업부는 “반도체 제조설비와 달리 국내 소재‧장비 기업의 대미투자 규모는 상대적으로 크지 않은 것으로 파악된다”고 말했다.

이어 산업부는 “우리 업계는 소재‧장비 및 웨이퍼 제조 분야 설비투자에 대한 보조금 지원제도에 대하여 구체적으로 검토해 나가겠다는 입장”이라며 “정부는 금번에 발표된 세부 지원계획이 업계에 미치는 구체적인 영향을 업계와 긴밀히 논의해 미국 정부와의 협의 등을 지원해 나갈 계획이다”고 전했다.

반도체법에 따른 재정 인센티브를 수령할 의향이 있는 소재‧장비기업(웨이퍼 제조기업 포함)들은 9월 1일부터 사전 신청(선택적), 10월 23일부터 본 신청을 거쳐 재정 인센티브 지원 여부 및 규모를 미국 정부와 협의하게 된다. 인센티브 수혜 기업은 투자액의 5~15%의 직접 지원을 받게 된다.