DB하이텍, 내달 차세대 전력반도체 '8인치 SiC 공정' 개발 돌입

오는 2028년 양산 목표...월 2만장 규모 생산 전망

파운드리 업체 DB하이텍이 차세대 전력반도체 소재인 실리콘카바이드(SiC) 시장 진출을 가속화한다. 기존 6인치 SiC 공정 개발에서 한발 더 나아가 내달부터 8인치 공정 개발에 착수한다. 공정 개발을 위한 장비 역시 올해 중으로 투자가 진행될 예정이다.

14일 업계에 따르면 DB하이텍은 신사업의 일환으로 내달 8인치 SiC 공정 개발을 시작한다. 양산은 오는 2028년을 목표로 하며, 생산능력은 월 2만장 수준이 예상된다. 

DB하이텍 부천캠퍼스 전경(사진=DB하이텍)

그동안 DB하이텍은 SiC 공정 개발을 8인치가 아닌 '6인치'로 진행해왔다. 현재까지 상용화 된 SiC 웨이퍼의 크기가 4·6인치 제품이기 때문이다.

주요 웨이퍼 제조업체들이 8인치 SiC 웨이퍼를 상용화하는 시점은 2024~2025년으로 예정돼 있다. 이에 DB하이텍은 비교적 개발이 원활한 6인치 SiC 공정 기술력을 먼저 확보하고, 이를 토대로 8인치 SiC 공정 개발 및 양산에 나선다는 계획을 세웠다.

DB하이텍은 다음달 8인치 SiC 공정 개발을 앞두고, 현재 8인치 SiC 웨이퍼 확보 및 고객사와의 협력을 준비 중인 것으로 알려졌다.

8인치 SiC 공정 설비 투자 역시 올해 진행된다. 설비는 DB하이텍의 상우캠퍼스 내 유휴 공간에 들어설 예정이다. 설비의 리드타임(주문에서부터 납기까지 걸리는 시간)을 고려하면, DB하이텍이 해당 설비로 8인치 SiC 공정 개발을 본격화하는 시기는 2024년 말로 전망된다.

SiC는 기존 반도체에 사용된 실리콘(Si) 대비 내구성 및 전력 효율성이 높은 차세대 전력반도체 소재다. 덕분에 자동차, 통신 등 미래의 핵심 산업 전반에서 수요가 빠르게 증가하는 추세다.

시장조사업체 트렌드포스에 따르면 전세계 SiC 전력반도체 시장은 올해 22억7천500만 달러에서 2026년 53억2천800만 달러로 2배 가량 성장할 전망이다. 

한편, DB하이텍은 지난해부터 또다른 차세대 전력반도체 소재인 GaN(질화갈륨)의 8인치 공정 개발도 진행 중이다. 8인치 GaN 공정은 2024년까지 개발 완료를 목표로 한다.