1초에 영화 10편 처리…SK하이닉스, 인텔서 차세대 D램 검증

데이터센터 서버용 DDR5 호환성 인증 절차…내년 상반기 LPDDR5T·HBM3E 적용

SK하이닉스는 30일 10나노급 5세대(1b) 기술을 적용한 서버용 더블데이터레이트(DDR)5를 인텔 데이터센터 메모리 인증 프로그램에서 검증한다고 밝혔다. 인텔 서버용 ‘제온 스케일러블 플랫폼’에서 메모리 반도체 호환성을 인증하는 절차다.

SK하이닉스는 이번 DDR5 제품의 동작 속도가 초당 6.4기가비트(6.4Gbps)로, 시장에 나온 DDR5 중 가장 빠르다고 소개했다. 1초에 5GB 풀HD(FHD) 영화 10편을 처리할 수 있는 속도다. DDR5 초창기 시제품보다 정보 처리 속도가 33% 빨라졌다고 SK하이닉스는 설명했다. DDR5 초창기 시제품 동작 속도는 초당 4.8기가비트다.

SK하이닉스 1b DDR5 서버용 64기가바이트 D램 모듈(사진=SK하이닉스)

SK하이닉스는 1b DDR5에 하이케이메탈게이트(HKMG) 공정을 적용해 1a DDR5보다 전력 소모를 20% 이상 줄였다고 강조했다. HKMG는 유전율(K) 높은 물질을 D램 트랜지스터 안 절연막에 사용해 전류가 새어나가지 않게 하고, 정전용량(Capacitance)을 개선한 차세대 공정이다.

김종환 SK하이닉스 부사장(DRAM개발담당)은 “지난 1월 10나노급 4세대(1a) DDR5 서버용 D램을 4세대 인텔 제온 스케일러블 프로세서에 적용해 업계에서 처음 인증 받았다”며 “1b DDR5 제품도 성공적으로 검증할 것”이라고 말했다. SK하이닉스는 인텔에서 호환성을 검증한 1a DDR5를 인텔의 다음 세대 제온 스케일러블 플랫폼에도 적용할 수 있도록 추가 인증 절차를 밟고 있다.

김 부사장은 "1b 양산으로 하반기 실적을 끌어올리겠다"며 "내년 상반기에는 최선단 1b 공정을 저전력DDR5터보(LPDDR5T)와 HBM3E(Extended)로도 확대할 것"이라고 기대했다. HBM3E는 고대역폭메모리 HBM3 다음인 5세대 제품이다. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3) 순으로 개발됐다. SK하이닉스는 하반기 8Gbps 데이터 전송 성능을 갖춘 HBM3E 제품 시제품을 준비해 내년 양산하기로 했다.