SK하이닉스는 고대역폭메모리(HBM) 4세대 8단 제품을 양산한 지 1년도 안 돼 12단 제품을 개발했다고 밝혔다. 하반기부터 신제품을 공급하기로 했다.
HBM은 D램 여러 개를 수직으로 연결해 기존 D램보다 정보 처리 속도를 끌어올린 제품이다. 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)에 이어 4세대(HBM3) 제품까지 나왔다.
SK하이닉스는 지난달 D램 단품 칩 12개를 수직으로 쌓아 용량 24GB를 구현한 HBM3를 개발했다. 회사 측은 세계에서 처음이라며 AMD를 비롯한 고객사에 시제품을 제공했다고 전했다.
김왕수 SK하이닉스 PL은 9일 사내 인터뷰에서 “기존의 8단 HBM3 양산 이후 약 10개월 만에 12단 HBM3를 개발했다”며 “40% 얇아진 D램 칩 12장을 기존보다 13% 좁은 간격으로 쌓으려니 칩을 제어하기 힘들고 공정을 적용하기가 어려웠다”고 말했다.
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권종오 SK하이닉스 PL은 ‘어드밴스드 MR-MUF’ 공정을 해법으로 꼽았다. 권 PL은 “얇아진 웨이퍼가 휘지 않도록 제어하는 새로운 기술을 썼다”며 “12단으로 쌓는 과정에서 칩과 칩 사이를 잇는 범프들이 고르게 연결되도록 강한 열을 순간적으로 가했고, 진공 상태에서 방열성 높은 신규 소재를 밀어 넣고 70톤의 압력을 가해 칩 사이 좁은 공간에 채워 넣었다”고 설명했다. 이 덕에 생산성은 약 3배, 열 방출은 약 2.5배 끌어올렸다고 강조했다.
SK하이닉스의 12단 HBM3는 제품 안에 쌓는 D램 칩 개수를 8개(기존 16GB 제품)에서 12개로 늘려 용량을 50% 키운 제품이다. SK하이닉스는 현존 최대 용량 24GB를 구현하면서도 전체 높이(제품 두께)는 16GB 제품과 똑같이 유지했다.
