일본 반도체·전자부품 회사 로옴은 27일 650V 내압 질화갈륨(GaN) 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT) ‘GNP1070TC-Z’와 ‘GNP1150TCA-Z’를 양산한다고 밝혔다. 질화갈륨은 차세대 전력 기기에 쓰는 화합물 반도체 재료다.
로옴은 대만 델타전자 관계사 앙코라반도체와 함께 신제품을 개발했다.
이번에 선보인 650V GaN HEMT가 스위칭 손실을 줄여 효율적인 전원을 만들 수 있다고 소개했다. GaN HEMT 특징을 활용한 고속 스위칭 동작으로 주변 부품 크기도 작게 할 수 있다고 설명했다.
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신제품은 정전기 방전(ESD) 보호 소자를 내장했다. 인체에 전자기기가 닿으면 정전기가 생겨 회로나 기기가 잘못 동작할 수 있다. 로옴은 신제품 정전 파괴 내량이 3.5kV까지 높아졌다고 강조했다.
그러면서 서버와 교류(AC) 어댑터 등에 알맞은 제품이라고 권했다.
