키오시아와 웨스턴디지털이 8세대 218단 3D 낸드 플래시 메모리 기술 관련 세부 정보를 공개했다.
218단 3D 플래시 메모리는 미세화 공정과 웨이퍼 본딩 기술을 모두 적용해 더 작은 크기 메모리와 저단수 제품으로 더 높은 용량을 구현할 수 있다.
1Tb 용량 TLC(3비트)·QLC(4비트) 플래시 메모리를 모두 활용할 수 있으며 초당 최대 입출력 속도는 3.2Gb/s로 전세대 대비 60% 향상됐다.
알페르 일크바하르 웨스턴디지털 기술·전략 부문 선임 부사장은 "양사는 하나의 공통된 R&D 로드맵과 지속적인 R&D 투자를 통해 이번 기술을 예정보다 일찍 제품화하고 높은 성능을 지원하는 비용 효율적인 솔루션을 제공할 수 있게 됐다"고 밝혔다.
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모모도미 마사키 키오시아 CTO(최고기술책임자)는 "양사 파트너십을 통해 업계 최고 수준 비트 밀도를 구현한 8세대 3D 낸드 플래시 메모리를 개발했으며 스마트폰, IoT 기기와 데이터센터 등 다양한 데이터 중심 수요처에서 활용할 수 있는 플래시 메모리 기술 포트폴리오가 진화했다"고 밝혔다.
키오시아는 일부 고객사 대상으로 이미 시제품을 공급하고 있다고 밝혔다. 이를 적용한 SSD·메모리카드 등 출시 일정은 미정.
