[컨콜] SK하이닉스 "올해 1b나노 D램·238단 낸드 양산 준비 완료"

작년 말 1a D램·176단 낸드 생산 비중 각각 20%, 60%

SK하이닉스가 올해 중순 차세대 제품인 1b 나노미터(nm) D램과 238단 낸드플래시를 양산할 계획이라고 밝혔다.

SK하이닉스는 1일 2022년 4분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "올해 중반에는 차세대 제품인 1b나노 D램과 238단 낸드의 양산 준비를 완료해 선두의 제품 경쟁력을 유지할 계획이다"고 말했다.

SK하이닉스가 개발한 238단 낸드플래시(사진=SK하이닉스)

이어 "1a나노미터 D램과 176단 낸드는 작년 말 생산 비중이 각각 20%와 60% 수준에 도달했다"며 "일부 제품은 이미 성숙 수율에 도달했고 신제품도 수율 안정화를 달성해 수요 개선에 따라 양산을 확대할 준비를 하고 있다"고 말했다. 

다만 올해 투자 축소로 인해 연말까지 1a D램과 176단 낸드 생산 비중의 확대 폭은 크지 않을 것으로 예상했다.

SK하이닉스는 차세대 제품의 성능에 대해 "1b나노 D램은 1a나노 D램에 비해 넷다이 효율성이 40% 이상 증가하고 원가 경쟁력이 높은 제품이다"고 소개했다. 

이어 "238단은 이미 코어 제품 개발이 완료가 됐고, 올해 중에 넷다이 효율성이 약 50% 높아진 1테라바이트 기반의 제품도 출시할 예정이다"고 전했다.

더불어 "올해 스마트폰 고객사의 플래그십 모델에 채용될 현존 최고 수준의 LPDDR5T(터보)를 개발해 샘플을 제공했고, 하반기부터 1a나노 D램 기반으로 양산해 공급할 계획이다"고 밝혔다.