삼성전자 작년 시설투자 53.1조원...반도체에만 47.9조원

평택 3·4기 인프라, EUV 첨단 기술, 중소형 플렉시블에 투자

삼성전자 평택캠퍼스(사진=삼성전자)

삼성전자가 지난해 시설투자 금액으로 약 53조1천억원을 집행했다고 31일 공시했다. 연간 시설투자 금액으로 역대 최대다.

사업부별로는 DS(반도체 부문)에 47조9천억원, SDC(디스플레이)에 2조5천억원을 투자했다.

작년 4분기 시설 투자는 총 20조2천억원이며 사업별로는 반도체 8조8천억원, 디스플레이 4천억원 수준이다.

메모리의 경우 평택 3, 4기 인프라와 미래 경쟁력 강화를 위한 EUV 등 첨단 기술 적용 확대, 차세대 연구 개발 인프라 확보를 위한 투자를 중심으로 이뤄졌다.

파운드리는 평택 첨단 공정 생산 능력 확대와 미래 수요 대응을 위한 3나노 초기 생산 능력과 미국 테일러 공장 인프라 구축에 투자를 집중했다.

디스플레이는 중소형 플렉시블 생산 능력 확대와 인프라 투자에 집중했다.