1초에 풀HD급 영화 15편 전송…SK하이닉스, 'LPDDR5T' 출시

"13% 빠른 모바일용 D램…차세대 HKMG 공정서 양산"

반도체ㆍ디스플레이입력 :2023/01/25 10:34    수정: 2023/01/25 10:41

SK하이닉스는 25일 모바일용 고속 D램 ‘저전력 더블 데이터 레이트 5 터보(LPDDR5T)’를 개발해 고객사에 시제품을 제공했다고 밝혔다.

LPDDR5T는 SK하이닉스가 지난해 11월 선보인 모바일 D램 LPDDR5X의 성능을 개선한 제품이다. 동작 속도를 13% 빠른 9.6Gbps(초당 9.6기가비트)까지 높였다. 빠른 속도를 부각하기 위해 SK하이닉스는 규격명인 LPDDR5 뒤에 ‘터보(Turbo)’를 붙였다.

SK하이닉스가 개발한 모바일용 고속 D램 ‘저전력 더블 데이터 레이트 5 터보(LPDDR5T)’(사진=SK하이닉스)

LPDDR은 스마트폰과 태블릿PC 같은 모바일용 제품에 들어가는 D램 규격이다. 전력 소모량 최소화를 목표로 해서 규격명에 LP(Low Power)가 붙는다. 최신 규격은 LPDDR 7세대(5X)로 1-2-3-4-4X-5-5X 순으로 개발됐다.

LPDDR5T는 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 정한 최저 전압 기준인 1.01~1.12V에서 작동한다.

SK하이닉스는 LPDDR5T 단품 칩을 결합해 16GB 용량의 패키지로 만든 시제품을 고객에게 제공했다. 패키지 제품의 데이터 처리 속도는 초당 77GB로, 이는 풀HD(Full-HD)급 영화 15편을 1초에 처리하는 수준이라고 SK하이닉스는 소개했다.

SK하이닉스는 10나노급 4세대(1a) 미세 공정 기반으로 하반기 이 제품을 양산하기로 했다.

SK하이닉스가 개발한 모바일용 고속 D램 ‘저전력 더블 데이터 레이트 5 터보(LPDDR5T)’(사진=SK하이닉스)

SK하이닉스는 LPDDR5X에 이어 이번 제품에도 ‘HKMG(High-K Metal Gate)’ 공정을 적용했다. HKMG는 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량(Capacitance)을 개선한 차세대 공정이다. 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있다고 SK하이닉스는 설명했다.

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SK하이닉스는 LPDDR5T의 활용 범위가 스마트폰뿐 아니라 인공지능(AI), 머신러닝, 증강·가상현실(AR·VR)까지 확대될 것으로 기대했다.

류성수 SK하이닉스 부사장(DRAM상품기획담당)은 “SK하이닉스는 초당 8.5Gb 속도의 LPDDR5X를 내놓은 지 두 달 만에 기술 한계를 다시 돌파했다”고 말했다.