일본 반도체·전자부품 회사 로옴은 10일 20V 전압을 견디는 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET·모스펫) ‘RA1C030LD’를 개발했다고 밝혔다.
제품 크기는 가로 1㎜, 세로 0.6㎜, 높이 0.22㎜다.
제품 크기가 작아 무선이어폰과 스마트폰·워치·안경, 액션 카메라 등 작고 얇은 기기에 탑재할 수 있다고 로옴은 소개했다.
또 패키지가 같은 기존 제품보다 전력 손실을 20% 줄였다고 설명했다.
관련기사
- 로옴, 600V 내압 저손실전력 모스펫 개발2022.03.21
- 로옴, 정격전력 1W 션트 저항기 'LTR10L' 개발2022.09.30
- 로옴, 소비전력 적은 AI 학습 시스템온칩 개발2022.09.27
- 로옴, 밝기·색 편차 줄인 1608크기 LED 개발2022.09.15
로옴은 독자적인 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지를 적용했다. 웨이퍼 상태로 단자를 형성·배선해 반도체 칩으로 쪼갰다. 웨이퍼를 잘라내고 단자를 만들 때보다 패키지를 작게 하고 부품 간 접촉 위험을 낮춘다고 로옴은 강조했다.
로옴은 이달부터 한 달에 1천만개씩 신제품을 양산하기 시작했다.
