삼성전자 "2027년 파운드리 1.4나노 양산"

올 상반기 세계 최초 3나노 양산…"2025년 2나노 선단 기술 확보"

삼성전자가 2027년 반도체 위탁생산(파운드리) 1.4나노미터(nm) 공정으로 양산하겠다고 발표했다.

최시영 삼성전자 파운드리사업부장(사장)은 3일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 ‘삼성 파운드리 포럼’에서 이러한 사업 전략을 공개했다.

삼성전자는 게이트올어라운드(GAA) 트랜지스터 기반 공정 기술을 혁신해 2025년 2나노, 2027년에는 1.4나노 공정을 도입하기로 했다. 삼성전자는 지난 6월 GAA 트랜지스터 기술을 적용한 3나노 1세대 공정을 세계에서 처음으로 양산했다.

최시영 삼성전자 파운드리사업부장(사장)이 3일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 파운드리 포럼에서 발표하고 있다.(사진=삼성전자)

삼성전자는 2.5차원(2.5D)·3D 이종 집적 포장(패키징) 기술도 개발한다. 3나노 GAA 기술에 삼성전자 독자적 다중가교채널트랜지스터(MBCFET) 구조를 적용하는 한편 3D 집적회로(IC) 솔루션도 제공하기로 했다. 삼성전자는 2018년 2.5D 패키징 적층 기술 아이큐브(I-Cube), 2020년 3D 패키징 적층 기술 엑스큐브(X-Cube)를 선보였다. I-Cube는 실리콘 접합 부위(인터포저·Interposer) 위에 로직과 고대역 메모리(HBM)를 배치하는 2.5D 패키지 기술이다. X-Cube는 웨이퍼 상태인 여러 칩을 위로 얇게 쌓는 3D 패키지 기술이다.

삼성전자는 고성능 컴퓨팅(HPC), 차량용 반도체, 5세대(5G) 이동통신, 사물인터넷(IoT) 시장을 공략하고 있다. 2027년까지 모바일 제외 매출 비중을 50% 이상으로 키우기로 했다. 양산 중인 28나노 차량용 내장형 비휘발성 메모리(eNVM)를 2024년 14나노로 확대하고, 8나노 eNVM 기술도 개발 중이다. 삼성전자는 무선주파수(RF) 공정도 늘리기로 했다. 14·8나노 RF 공정 양산에 이어 5나노 RF 공정을 연구하고 있다.

3일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 삼성 파운드리포럼에서 관람객이 제품을 살펴보고 있다.(사진=삼성전자)

삼성전자는 56개 설계자산(IP) 협력사와 4천개 이상의 IP를 제공한다. 디자인솔루션파트너(DSP)·전자설계자동화(EDA) 분야에서도 각각 9개·22개사와 손잡았다. 클라우드 9개사와 10개 반도체 조립·시험 외주 회사(OSAT)도 함께한다.

삼성전자는 대형 데이터센터를 운영하는 하이퍼스케일러(Hyperscaler)와 창업 초기 기업(스타트업) 등 신규 고객도 유치하기로 했다.

2027년까지 삼성전자는 선단 공정 생산 능력을 올해보다 3배 이상 끌어올릴 계획이다. 미국 테일러 파운드리 1라인에 이어 2라인을 ‘쉘 퍼스트(shell First)’에 따라 투자하기로 했다. 쉘 퍼스트란 클린룸을 미리 지어 생산 능력을 안정적으로 확보한다는 뜻이다. 삼성전자는 경기 평택·화성과 미국 테일러에서 선단 공정 파운드리 제조 라인을 운영하고 있다. 경기 화성·기흥과 미국 오스틴에서는 성숙 공정을 양산한다.