삼성전자, 3나노 이달 양산 개시…세계 최초

대만 TSMC 앞서…평택서 한미 정상이 시제품에 서명

삼성전자가 세계 최초로 반도체 위탁생산(파운드리) 3나노미터(㎚) 공정을 이달 양산한다.

23일 관련 업계에 따르면 삼성전자는 상반기 3나노 양산을 시작한다는 기존 계획을 재확인했다. 다음 주 개시할 것으로 보인다.

삼성전자가 일정대로 3나노를 양산하면 세계 처음이다. 파운드리 업계 1위인 대만 TSMC보다 초미세 공정을 앞서는 셈이다. 4월 말 삼성전자는 1분기 실적을 설명하는 자리에서 2분기에 3나노 공정을 세계 최초로 양산해 경쟁사 대비 기술 우위를 확보하겠다고 발표했다. TSMC는 하반기부터 3나노를 양산하기로 했다.

윤석열 대통령(오른쪽)과 조 바이든 미국 대통령이 지난 5월 20일 경기 평택시 삼성전자 반도체 공장에서 만나 웨이퍼에 서명하고 있다. 이 웨이퍼는 삼성전자가 세계 최초로 양산 예정인 3나노미터(nm·10억 분의 1m) 공정 웨이퍼다.(사진=대통령실사진기자단, 뉴스1)

삼성전자는 지난달 20일 윤석열 대통령과 조 바이든 미국 대통령이 경기 평택사업장을 찾았을 때 3나노 반도체 시제품을 공개했다. 바이든 대통령은 방한 첫 일정으로 삼성전자 평택사업장을 방문했다. 이재용 삼성전자 부회장이 직접 소개했다. 윤 대통령과 바이든 대통령은 3나노 시제품에 서명했다.

삼성전자는 3나노에 차세대 공정 기술 게이트올어라운드(GAA·Gate-All-Around)를 처음 적용한다. GAA는 반도체 트랜지스터 구조를 개선해 접촉 면적을 4개면으로 확대한 것이다. 전력 효율을 개선해 반도체 성능을 높일 수 있다. TSMC는 2025년 2나노 공정에 GAA를 도입하기로 했다.