인텔, 차세대 ASML 극자외선 EUV 장비 도입

개구율 0.55NA급 '트윈스캔 EXE:5200' 도입...2025년부터 18A 공정에 투입

인텔이 오는 2025년부터 적용할 인텔 18A 공정을 위해 네덜란드 ASML의 차세대 극자외선(High-NA EUV) 노광 장비 도입 계약을 체결했다고 밝혔다.

인텔은 지난 해 7월 온라인으로 진행된 '엑셀러레이티드' 행사를 통해 오는 2024년부터 새로운 트랜지스터 구조 '리본펫' 기반 인텔 20A 공정에서 차세대 제품을 생산하겠다고 밝힌 바 있다. 

이들 공정은 웨이퍼에 0.1nm(나노미터) 단위 미세한 회로도를 새겨야 하기 때문에 기존 장비로는 한계가 있었다.

인텔이 2025년 이후 차세대 공정을 위해 ASML 극자외선 장비 구매 계약을 체결했다. (사진=ASML)

18일(미국 현지시간) 인텔과 ASML에 따르면, 인텔은 0.55 NA(렌즈수차) 플랫폼 기반 ASML 노광장비인 '트윈스캔 EXE:5200'을 공급받아 오는 2025년부터 초미세공정 기반 제품 생산에 활용한다.

트윈스캔 EXE:5200은 0.33 NA 플랫폼을 적용한 기존 기기에 비해 보다 정밀하고 미세한 회로도를 웨이퍼에 그릴 수 있는 장비다. 시간당 처리량은 200매 이상이다.

ASML은 "인텔이 도입하는 트윈스캔 EXE:5200은 2025년 이후 미세화되는 다양한 공정에 적용할 수 있도록 설계됐다"고 밝혔다.

앤 켈러 인텔 기술개발 그룹 수석부사장은 "인텔은 반도체 식각 기술의 선두 위치를 유지하는 것이며 지난 해부터 EUV 관련 경험과 생산 능력을 확충해 왔다. ASML과 긴밀한 협의 아래 고해상도 식각이 가능한 차세대 극자외선 노광 장비를 활용해 무어의 법칙을 지속적으로 추구할 것"이라고 밝혔다.

인텔은 2024년 인텔 20A 공정에 이어 2025년부터 인텔 18A 공정을 적용한다. (사진=인텔)

ASML은 이 장비를 오는 2024년부터 미국 오레곤 주 힐스보로 등 인텔 반도체 생산 시설에 공급한다. 또 인텔은 오는 2025년부터 적용할 인텔 18A 공정에 이들 장비를 활용할 예정이다.