온세미, 최고 효율 갖춘 650V SiC 모스펫 출시

반도체ㆍ디스플레이입력 :2021/02/18 14:30

온세미컨덕터(이하 온세미)는 전기차 온보드 충전기(OBC), 서버 전원공급장치(PSU) 등에 최적화된 650V SiC MOSFET을 출시한다고 18일 밝혔다.

이 제품은 실리콘 대비 우수한 스위칭 성능과 개선된 열특성을 제공하는 와이드밴드갭(WBG) 소재를 기반으로 한다. 이를 통해 시스템 레벨에서 효율성을 높이고, 전력 밀도를 향상시켰다는 게 회사 측 설명이다.

온세미는 650볼트(V) 내압에서 업계 최고의 효율성을 구현할 수 있도록 새로운 활성 셀 설계법도 적용했다. 이에 온저항은 최저 수준인 12밀리옴(mOhm)에 불과하다.

온세미컨덕터 최신형 '650V SiC MOSFET'. (사진=온세미)

온세미 측은 "전기차용 OBC와 같은 최신 전력 애플리케이션과 재생 에너지, 엔터프라이즈 컴퓨팅, 통신 등의 애플리케이션에서 효율성, 신뢰성, 전력 밀도는 설계자가 끊임없이 개선해야 할 과제"라며 "새로운 SiC MOSFET은 다른 실리콘 스위칭 기술에 비해 성능을 크게 향상해 엔지니어들이 까다로운 설계 목표를 달성할 수 있도록 돕는다. 향상된 성능을 통해 전자파(EMI)를 줄일 뿐만 아니라 효율성 향상과 열관리 요구사항을 줄일 수 있게 된다"고 강조했다.

☞ 용어설명 : SiC MOSFET

SiC MOSFET은 Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor의 줄임말로 실리콘 카바이드 모스펫이라고도 부른다. 이는 금속(Meta), 산화막(Oxide), 반도체(Semiconductor)로 구성된 전계효과 트랜지스터(Field-Effect Transisto·FET)로, 전압을 증폭시키거나 전류를 차단하는 데 사용된다.

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