올해 시스템 반도체 R&D에 2400억 투입

정부, '글로벌 K-팹리스 육성 위한 챌린지형 R&D' 신설

정부가 올해 시스템 반도체 육성을 위해 2400억원의 연구·개발비를 투입한다. 이를 통해 향후 급성장이 예상되는 전력 반도체, 센서, 인공지능 반도체 등의 기술 경쟁력을 확보하겠다는 계획이다.

1일 산업통상자원부에 따르면 산업부와 과학기술정보통신부, 중소벤처기업부는 이날 정부서울청사에서 '제3차 혁신성장 BIG3 추진회의'를 열고, 국내 시스템 반도체 산업 육성을 위한 '시스템 반도체 기술혁신 지원 방안'을 발표했다.

정부는 이번 방안을 통해 전력 반도체, 차세대 센서, 인공지능 반도체 등의 분야에 2400억원 규모의 연구·개발(R&D)를 지원할 계획이다. 부처별로 산업부 1100억원, 과기정통부 1150억원, 중기부 150억원이 집행될 예정이다.

(자료=산업부)

시스템 반도체 관련 R&D는 핵심 유망품목에 대한 기술 경쟁력 확보를 목표로 크게 ▲팹리스 성장 지원 ▲유망시장 선점 ▲신(新)시장 도전 등 세 가지 축으로 추진된다.

먼저 팹리스 성장 지원의 경우, 매출 1000억원 이상의 글로벌 K-팹리스 육성을 위한 '챌린지형 R&D'를 신설할 계획이다. 이는 성장 가능성이 높은 팹리스를 대상으로 하며, 자유 공모를 통해 경쟁력 있는 전략 제품의 개발을 지원(올해 4개 기업 선정)할 예정이다.

국내 시스템 반도체 산업 생태계 조성을 위해 수요기업과 팹리스가 연계한 '공동 R&D 과제(차세대 지능형 반도체 기술개발, 1조원 규모)'도 지속 발굴한다. 또 국내 중소 팹리스의 창업 및 성장을 위해 ▲창업기업 지원 ▲혁신기술 개발 ▲상용화 기술개발 ▲투자형 기술개발 등 다양한 R&D 지원(143억원 이상)을 추진할 예정이다.

유망시장 선점을 위해서는 디지털 뉴딜과 그린 뉴딜의 핵심 요소인 전력 반도체(SiC, GaN)와 센서에 대한 R&D를 강화할 방침이다.

(자료=산업부)

전력 반도체의 경우, 기존의 실리콘(Si) 대비 높은 내구성과 전력 효율을 바탕으로 성장 가능성이 높은 실리콘 카바이드(SiC) 및 질화갈륨(GaN) 기반 반도체에 대한 R&D를 지원(신소재 기반 차세대 전력 반도체 상용화 R&D, 2022~2025년 추진)할 예정이다.

센서의 경우에는 주력 산업의 데이터 수요 증가에 적기 대응하기 위해 '시장선도를 위한 K-센서 기술개발사업(미래 선도형 차세대 센서 R&D 지원, 센서 제조혁신 플랫폼 구축, 실증 테스트베드 설립 등)'을 추진해 2022년부터 2028년까지 5340억원을 투입할 계획이다.

신(新)시장 도전과 관련해서는 인공지능·데이터 생태계의 핵심 기반으로 성장 가능성이 높은 인공지능 반도체 분야를 집중 지원할 예정이다.

인공지능 반도체 R&D의 핵심 사업인 차세대 지능형 반도체 기술개발 사업의 본격적 성과 창출을 위해 지원 규모를 지난해 831억원(82개 과제)에서 올해 1223억원(117개 과제)으로 확대하고, 미래 컴퓨팅 패러다임을 바꿀 PIM(Processing in Memory) 기술 선점을 위한 선도 사업과 초격차 기술력 확보를 위한 대규모 예타사업(PIM 인공지능 반도체 핵심기술개발, 2022~2028, 9924억원 규모)도 추진할 계획이다.

성윤모 산업부 장관은 "지난해 1조원 규모의 차세대 지능형 반도체 프로젝트 이후 올해 차세대 센서, 신개념 인공지능 반도체 등 대규모 R&D 3대 프로젝트를 마련한다"며 "향후 10년간 총 2.5조원이 투입되는 3대 프로젝트가 우리 반도체 생태계 전반에 활력을 불어넣을 것으로 기대된다. 정부와 민간이 긴밀히 협력하여 2030년 종합 반도체 강국 도약을 반드시 실현하겠다"고 전했다.