램리서치, 차세대 메모리 개발 위한 '유전체 갭필 기술' 개발

램리서치가 메모리 반도체의 적층 한계를 극복할 수 있는 새로운 유전체 갭필 기술을 개발했다.

22일 램리서치는 D램 및 3D 낸드플래시의 제조과정에서 유전체(전기가 통하지 않는 물질)를 미세공간 없이 상향식으로 채워 원자층 증착(ALD) 고유의 막질을 유지할 수 있는 '스트라이커 FE 플랫폼' 개발을 완료했다고 밝혔다.

램리서치에 따르면 스트라이커 FE는 반도체 미세화로 인해 기존 공정(화학기상증착, 확산·퍼니스, 스핀온 등)에서 발생하는 한계(수축, 미세공간 발생 등)를 극복할 수 있는 게 특징이다. 기존보다 메모리 셀을 수직으로 적층하는 3D 낸드플래시의 적층단수 한계를 극복하는 동시에 초미세 D램 소자의 쓰러짐 문제를 방지할 수 있다는 게 회사 측 설명이다.

램리서치 '스트라이커 FE' 플랫폼. (사진=램리서치)

램리서치 측은 "스트라이커 FE 플랫폼은 D램 및 3D 낸드플래시의 새로운 노드(직접도 향상)에 필요한 극한 구조를 충진하기 위해 혁신적인 ICEFill 기술을 사용한다"며 "반도체 산업 로드맵을 충족하는 데 필요한 지속적인 비용 및 기술혁신 과제를 이 시스템으로 해결할 수 있다"고 자신했다.