파운드리 시장 1위 도약을 목표로 내건 삼성전자의 질주가 거세다. 세계 최대 팹리스 업체인 퀄컴을 비롯해 엔비디아, IBM까지 고객사로 확보하면서 초미세 공정기술의 양산능력을 강화 중인 가운데 올해 말부터 5나노미터 공정의 대량 생산을 시작해 선두 TSMC와의 격차를 더욱 좁힐 전망이다.
24일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 올해 말부터 5나노미터(1nm=10억분의 1미터) 공정에서 애플리케이션 프로세서(AP) 및 통신모뎀 대량 생산에 돌입할 예정이다. 주요 생산제품은 퀄컴의 '스냅드래곤 875' 및 '스냅드래곤 X60'가 될 전망으로, 삼성전자의 '엑시노스1000(가칭)'도 포함된 것으로 알려졌다.
반도체 업계 한 관계자는 "삼성전자는 올 하반기부터 5나노미터 공정에서 대량 생산을 시작, 생산품목은 글로벌 팹리스 업체의 애플리케이션 프로세서와 통신모뎀이 주가 될 것"이라며 "일각에서 삼성전자의 5나노미터 공정수율이 좋지 않다는 주장이 나오지만, 이는 소문에 불과하다"고 전했다.
시장에서는 삼성전자가 5나노미터 공정의 대량 생산을 시작하면서 파운드리(반도체 위탁 생산) 시장에서 삼성전자의 입지가 더욱 높아질 것으로 기대하고 있다. 이는 글로벌 파운드리 시장에서 5나노미터 이하 공정에서 대량 생산이 가능한 기업은 TSMC(5나노미터 공정에서 애플향 AP 양산 예정)와 삼성전자가 유일하기 때문이다.
실제로 삼성전자는 앞서 열린 2분기 실적 컨퍼런스 콜에서 "5나노미터 공정은 2분기에 이미 양산 착수, 하반기 고객을 확대해 본격 대량 양산 예정"이라며 "수율은 기존 계획대로 개선을 진행 중이며 현재 4nm 1세대 공정개발 및 양산준비가 차질없이 진행 중"이라고 밝힌 바 있다.
최근 미국 정부가 화웨이에 대한 추가제재에 나서면서 TSMC가 매출의 14% 정도를 차지하는 화웨이향 물량을 생산할 수 없게 된 것도 삼성전자에게 기회로 다가오고 있다.
반도체 업계 또 다른 관계자는 "최근에는 삼성전자의 파운드리 수주 확대를 방해할 목적으로, 대만 언론에서 삼성전자의 5나노미터 공정 수율이 좋지 않다는 악성 루머가 나올 정도"라며 "삼성전자가 계획대로 하반기부터 5나노미터 공정의 대량 생산을 시작하면 TSMC와의 기술 격차를 한층 좁히는 계기가 될 것으로 본다"고 전했다.
TSMC 역시 삼성전자의 추격에 맞서 오는 25일 열리는 기술 심포지엄에서 3나노미터 및 2나노미터 공정 기술개발 현황과 향후 계획을 발표할 예정이다. 중국 인터넷매체 씨엔베타에 따르면 TSMC는 이번 심포지엄에서 게이트 올 어라운드(GAA) 구조의 2나노미터 공정 기술을 공개할 것으로 알려졌다.
관련기사
- 삼성, 美 IBM 차세대 CPU 만든다2020.08.17
- "美 화웨이 추가제재, 반도체보다 OLED에 영향"2020.08.23
- EUV에 3D 적층 기술까지..삼성, 파운드리 초격차 강화2020.08.13
- 파운드리 1위 노리는 삼성, 美 투자 나설까2020.07.27
게이트 올 어라운드는 삼성전자가 지난해 세계 최초로 3나노미터 공정에서 개발한 집적기술로, 기존 핀펫(Finfet) 기술과 비교해 트랜지스터 게이트와 채널이 닿는 면적이 4개면(핀펫은 3개면)으로 늘어난 것이 특징이다. 그만큼 면적과 소비전력을 축소할 수 있다는 뜻이다.
한편, 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 3분기 글로벌 파운드리 시장에서 TSMC는 53.9%의 점유율로 1위를, 삼성전자는 17.4%의 점유율로 2위를 기록했다.
