삼성전자-SAP, 차세대 메모리 개발 본격 가동

SAP HANA 기반 인메모리 R&D 시작

삼성전자가 오는 10월 SAP와 차세대 인메모리 플랫폼 연구 개발을 위한 공동 리서치센터를 내달부터 운영한다. CPU가 처리하는 대용량 정보를 메인 메모리에 저장, 처리 속도를 대폭 개선하는 인메모리 기술 개발을 위해 반도체, 기업용 SW 강자가 맞손을 잡았다는 뜻이다.

삼성전자와 SAP는 29일 경기도 화성시 삼성전자 부품연구동(DSR)에서 삼성전자 메모리사업부 전영현 사장과 SAP 아시아 태평양 지역 어데어 폭스 마틴 회장 등이 참석한 가운데 공동 리서치센터 개소식을 열었다.

지난 2015년 인메모리 플랫폼 SAP HANA 공동 기술 개발에 합의에 따른 결과다. 삼성전자 메모리사업부와 SAP HANA 개발 조직인 SAP Labs Korea 간의 협업을 통해 리서치센터 설립이 추진됐다. 이를 위해 지난 6월 양사는 차세대 초고속 고용량 D램 모듈과 인메모리 기술 개발을 위한 차세대 인메모리 플랫폼 개발 업무협약(MOU)을 체결했다.

삼성전자 DSR에 설립된 공동 리서치센터는 소형 데이터센터를 운영하는 전용 서버 룸과 양사 연구개발 임직원이 근무하는 사무실로 구성됐다. 양사는 글로벌 고객들이 SAP HANA를 도입하기 전, 리서치센터에서 시험 운용 등 제반 지원을 통해 고객들에게 최적의 솔루션을 제공할 계획이다. 또한 인메모리 시스템용 초고용량 메모리 개발과 도입을 위한 제반 평가도 진행될 예정이다.

특히 20나노 D램 기반 128GB 3차원 수직 적층 모듈을 탑재해 단일 서버로 최대 24TB 급의 SAP HANA를 구현한 데 이어, 향후 10나노급 D램 기반 256GB 3DS 모듈을 탑재해 차세대 시스템의 성능을 더욱 향상시킬 계획이다. 또한 시스템 운영 소비전력도 최소화해 고객들의 IT 투자 효율을 높인 솔루션을 개발할 계획이다.

전영현 삼성전자 메모리사업부 사장은 “10나노급 D램 양산으로 SAP의 차세대 인메모리 시스템에 최적의 솔루션을 적기에 제공할 수 있게 되었다”며, “향후 기술 리더십을 더욱 강화해 '초고용량 메모리 시대'를 지속 주도해 나갈 것”이라고 말했다.