'1조 클럽' SK하이닉스, 지속성장 전략은?

K하이닉스가 향후 메모리 프리미엄 제품으로 PC 시장 감소에 따른 시황 하락을 헤쳐 나간다는 계획이다. 낸드플래시는 내년 3D 본격화에 맞춰 고집적 48단 제품을 양산하고 D램은 DDR4, LPDDR4 등 고성능 제품의 비중을 늘려나갈 예정이다.

3D 낸드플래시는 현재 삼성전자만이 유일하게 양산하고 있을 정도의 고집적 프리미엄 제품이다. D램분야 DDR4, LPDDR4도 올해 처음으로 PC, 스마트폰에 적용되기 시작한 프리미엄 제품이다. SK하이닉스는 연초 세계 최초로 LPDDR4 양산을 시작한 바 있다.

22일 SK하이닉스는 3분기 실적 컨퍼런스콜을 통해 “3D 낸드 36단 MLC(멀티레벨셀) 제품을 3분기 개발 완료했다”며 “48단도 TLC(트리플레벨셀) 3D 제품도 연내 개발 완료하고 3D 낸드플래시를 SSD 뿐만 아니라 내년 솔루션 전반으로 확대할 것”이라고 설명했다.

SK하이닉스는 3D 물량 확보를 위해 이천공장에서 이를 양산하는 방안도 고려중이다. 지난 8월 준공한 이천 M14 공장 2층 일부가 낸드플래시에 할당될 전망이다. 경기 이천· 중국 우시는 D램, 청주는 낸드플래시 공장이라는 고정관념도 깨지게 됐다.

SK하이닉스 관계자는 “내년 3D 캐파(생산역량)은 2D 캐파를 전환해 신속하게 확보할 것”이라며 “3D 채용이 증가하고 생산이 가속화되면 M14 2층에 운영하는 방안도 고려중에 있다”고 설명했다.

D램은 증설보다는 DDR4, LPDDR4 등 프리미엄 제품 비중을 높이면서 2z나노 미세공정으로 경쟁사와의 공정격차를 줄일 계획이다. 2z는 20나노에 근접한 최첨단 미세공정 제품이다. 반도체 업계는 20나노급 미세공정을 공정크기가 큰 순서대로 2x, 2y, 2z로 구분한다.

D램 생산능력은 올해 월 27만장 수준을 전망하며 내년 27만~28만장 수준으로 유지할 예정이라고 밝혔다. 출하량은 내년에도 늘리지 않고 올해 수준을 유지할 계획이다.

SK하이닉스 관계자는 “이 정도의 D램 캐파는 DDR3에서 DDR로 전환, LPDDR4 증가 등을 감안할 때 2z나노로 테크전환이 중심이기 때문에 캐파 패널티를 보완하는 수준으로 생각하면 된다”고 설명했다.

SK하이닉스는 올해 프리미엄 D램 제품 투자를 늘리면서 사상 최대 규모인 6조원 이상 투자를 예상하고 있다. 3분기에만 1조5천억원을 쏟아부었으며, 누적 투자액은 5조3천억원이다. 이미 지난해 투자액 5조2천억원을 넘겼다. 내년에는 신규로 준공하는 공장은 없어 투자액 자체는 소폭 줄어들 전망이다.