SK하이닉스 "1Q 25나노 D램 전환 시작"

SK하이닉스가 메모리 반도체 분야에서 20나노 중반대(25나노·2y) D램과 10나노 후반대(16나노·1x) 낸드플래시 양산을 시작하면서 미세공정 전환에 박차를 가하고 있다.

김준호 SK하이닉스 코퍼레이트센터장 사장은 24일 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "D램은 2y 나노 기술전환을 시작했으며 낸드플래시의 경우 1x 나노 전환을 시작했다"고 밝혔다.

김준호 사장은 "D램의 경우 연초 우시공장 생산정상화가 연초 마무리되면서 2y 나노 기술전환을 시작했으며 2분기 본격적인 양산을 계획하고 있다"며 "2y 나노는 우선 PC와 서버 등 메인메모리 제품에 먼저 적용되고 하반기에는 모바일 제품에도 적용할 예정"이라고 말했다.

SK하이닉스는 연말까지 25나노 D램 비중을 전체의 50% 수준으로 늘릴 예정이다. 16나노 낸드의 경우 연말 기준 70%의 비중을 차지할 것으로 전망된다.

이어 "낸드플래시는 D램 생산을 지원했던 생산능력(CAPA)이 1분기 낸드로 전환되면서 1x 나노 전환을 시작했다"고 말했다.

한편, SK하이닉스는 미세공정 전환에 따라 2분기 D램 출하량은 1분기 대비 약 10% 증가할 것으로 내다봤다. 낸드플래시의 경우 모바일 수요 증대와 솔리드스테이트드라이브(SSD) 판매 확대를 기반으로 40% 중반대 출하량 증가를 계획하고 있다.