SK하이닉스도 3GB 스마트폰 시장 공략

20나노급 6Gb LPDDR3 D램 신제품 개발

SK하이닉스도 스마트폰용 고용량 3GB 램(RAM) 시장 공략에 본격 나선다.

SK하이닉스(대표 박성욱)는 차세대 고사양 모바일 기기에 적용되는 20나노급 6Gb(기가비트) LPDDR3(Low Power DDR3) 신제품을 개발했다고 30일 밝혔다.

이 제품을 4단 적층하면 3GB(기가바이트, 24Gb)의 고용량을 한 패키지에서 구현할 수 있다. 이 경우 4Gb 단품으로 6단 적층한 같은 용량과 비교해 동작 전력뿐만 아니라 대기 전력 소모가 30% 정도 줄어들고 패키지 높이를 보다 얇게 구성할 수 있게 된다. 또 초저전압인 1.2V의 동작전압으로 모바일 기기에서 요구되는 저전력의 특성을 만족시킨다.

앞서 세계 최초로 3GB 모바일 D램 양산을 돌입한 삼성전자는 20나노급 4Gb LPDDR3 제품 6개를 대칭으로 3단 적층하는 방식으로 고용량을 구현한 바 있다.

SK하이닉스가 개발한 신제품의 속도는 1천866Mbps이며, 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 싱글 채널은 최대 초당 7.4GB, 듀얼 채널의 경우 14.8GB의 데이터를 처리할 수 있다. 이번에 개발된 제품은 하나의 패키지 위에 다른 기능을 하는 패키지를 적층하는 ‘PoP(Package on Package)’ 구성으로 모바일 기기에 사용될 수 있다.

진정훈 SK하이닉스 마케팅본부장(전무)은 “지난 6월 세계 최초로 고용량 8Gb LPDDR3를 개발한 데 이어, 20나노급 6Gb LPDDR3 제품을 개발해 고용량 모바일 제품 경쟁력을 더욱 강화할 수 있게 됐다”면서 “고사양 모바일 기기에 최적화 된 메모리 솔루션인 6Gb LPDDR3 기반의 3GB 메모리 솔루션으로 시장을 선도할 것”이라고 밝혔다.

3GB LPDDR3 제품의 경우 내년 상반기부터 고성능 스마트폰을 중심으로 채택이 본격화 돼 2015년까지 지속적으로 적용이 이뤄질 것으로 회사 측은 전망했다. 현재 SK하이닉스는 고객사에 샘플 공급을 시작했으며, 내년 초 양산을 목표로 하고 있다.