하이닉스반도체(대표 권오철)가 27일 스페인 바르셀로나에서 개막된 ‘모바일 월드 콩그레스(MWC) 2012’에 처음으로 참가했다.
하이닉스는 행사에 SK텔레콤과 동반 참가하면서 글로벌 시장에서 양사의 시너지를 활용한 새로운 기회 발굴에 주력한다는 의지를 내비쳤다. MWC에 ‘스마트 모바일 솔루션’ 시장 확대를 위한 관련 제품을 대거 선보였다.
‘하이닉스가 유비쿼터스 세상을 열어갑니다’라는 주제로 선보인 스마트 모바일 솔루션은 20나노급 4기가비트(이하 Gb) DDR3, 30나노급 4Gb LPDDR3 D램 등이다. 엔비디아와 제휴로 진입한 차량용 인포테인먼트 메모리 반도체도 선보이며 스마트카 등 새롭게 열리는 시장에서의 성장 가능성도 보여줬다.
■20나노급 4Gb DDR3 선보여
하이닉스가 개발한 20나노급 4Gb DDR3 D램은 기존 PC, 서버시장은 물론 급속도로 성장하는 태블릿과 울트라북 등의 시장 대응을 위한 제품이다.
기존 30나노급 D램보다 60% 이상 생산성이 높아 원가경쟁력이 개선된 이 제품은 국제 반도체 표준협회 기구(JEDEC)의 규격을 지원하며 1.25V의 초저전압 지원도 가능해 기존 30나노급 제품 대비 약 40% 가량 소비전력 절감할 수 있다. 최대 2133Mbps의 속도를 지원해 16개의 정보출입구(I/O)를 통해 HD급 영화 한편을 1초 만에 전송 할 수 있는 속도인 초당 4.3기가바이트(이하 GB)의 빠른 데이터 처리를 할 수 있다.
시장조사기관인 아이서플라이는 D램 시장에서 2Gb 제품이 올해 78% 비중을 정점으로 점차 감소하고 4Gb 시장으로 전환될 것을 전망하고 있다.
하이닉스는 올 상반기 내 제품 양산에 들어가며 IT기기의 모바일화로 확대되고 있는 클라우드 컴퓨팅 환경 대응을 위한 데이터센터 서버용 64GB 초고용량 모듈 등으로 고용량 시장을 선도할 계획이다.
■최근 양산한 모바일 D램 신제품 MWC 통해 선보여
하이엔드 스마트폰, 태블릿 및 울트라북 등에 최적화된 솔루션을 제공하기 위한 모바일 D램인 30나노급 4Gb LPDDR3도 출품됐다.
최근 양산을 시작한 이 제품은 멀티칩 패키지(MCP)와 패키지 온 패키지(PoP;)에 들어가는 제품이다. 2단 적층한 8Gb(1GB), 4단 적층한 16Gb(2GB) 제품 등으로 제공된다.
1.2V 초저전압으로 동작이 가능하며 최대 1600Mbps의 데이터 전송속도를 구현할 수 있어 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 싱글 채널(Single Channel)은 최대 초당 6.4GB, 듀얼 채널(Dual Channel)의 경우 12.8GB의 데이터를 처리할 수 있다.
특히 LPDDR2 대비 동일한 수준의 대기전력을 유지하면서도 1.5배에 달하는 동작 속도 개선으로 모바일 어플리케이션이 요구하는 저전력과 고성능의 특성을 모두 만족시키는 점이 특징이다.
하이닉스는 이 제품을 통해 2015년 약 56%(아이서플라이 기준)의 비중을 차지하며 주력제품으로 성장할 LPDDR3 시장을 선점한다는 계획이다. 김지범 하이닉스 전무는 “모바일 시장이 요구하는 대용량, 고성능, 저전력의 3가지 특성을 모두 갖춘 다양한 제품군을 갖추고 있으며 이를 통해 급속도로 성장하는 모바일 애플리케이션 시장에서 경쟁력 있는 솔루션을 제공할 계획”이라고 전했다.
하이닉스는 이외에도 128GB~512GB 용량의 SSD(솔리드스테이트드라이브)와 모바일 기기에서 영상을 담당하는 CIS(CMOS Image Sensor) 등 다양한 모바일 솔루션도 출품했다.
■스마트카용 메모리 반도체 시장 진입
하이닉스는 스마트카의 인포테인먼트에 탑재되는 30나노급 4Gb DDR3 컨슈머 D램과 eMMC(하이닉스 브랜드명 e-NAND) 낸드플래시도 전시했다.
하이닉스는 비주얼 컴퓨팅 분야의 선두업체인 엔비디아와의 전략적 제휴를 통해 차량용 인포테인먼트 메모리 반도체 시장에 본격 진입했다.
지난달 개최된 CES에서 하이닉스의 D램, e-NAND가 탑재된 독일 자동차가 대중에게 첫 선을 보인 바 있다.
스마트카의 핵심 분야 중 하나인 차량용 인포테인먼트는 네비게이션은 물론 인터넷과 오디오, 주행정보 등을 제공하는 통합시스템으로 스마트폰과 태블릿의 대중화와 함께 성장이 예상되고 있다.
차량용 부품의 경우 매우 높은 신뢰성과 품질 수준이 요구되는 특성상 인증 기간만 1년 이상이 소요될 만큼 까다로운 품질 조건을 거쳐야 하기 때문에 시장 진입이 어려운 것으로 알려져 있다.
하이닉스는 이처럼 새로운 응용 시장 발굴에도 적극 나서 모바일 시대의 다양한 기회를 선점할 계획이다.
행사에 개념을 선보인 STT-M램, Re램 등 차세대 메모리 반도체와 차세대 패키징 기술인 TSV도 순조롭게 개발해 미래 반도체 시장의 주도권을 확보할 계획이다.
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하이닉스는 MWC 참가가 글로벌 모바일 사업자들과 네트워크를 확대하고 ‘스마트 모바일 솔루션’ 관련 다양한 분야로 진출을 위한 마케팅, 고객 협력 기반이 강화되는 계기가 될 것으로 기대하고 있다.
하이닉스는 올해 전체 투자 4조2천억원 중 절반 이상을 낸드플래시에 투입하고 모바일 환경에 적합한 대용량·고성능·저전력 특성을 갖춘 D램 제품 포트폴리오를 다양화 하는 등 모바일 시장 확대를 위한 전략을 가속화 하고 있다.