차세대 메모리 적층기술 전쟁 스타트

'차세대메모리 적층기술 전쟁이 시작됐다.'

전세계 메모리 기업들에게 새로운 경쟁력 확보기술로 미세공정기술,수율,가격에 이어 ‘얼마나 더 많은 칩을 쌓아올릴 수 있는지’가 새로운 경쟁요소로 등장했다.

세계 D램 업계 매출기준 1, 2위인 삼성전자, 하이닉스에 이어 세계 3위인 일본 엘피다가 27일 새로운 적층 기술을 사용한 D램의 시제품 생산에 들어갔다고 발표하면서 메모리 적층기술 본격경쟁이 시작됐다.

관통전극(Through Silicon Via, TSV) 기술이라고 알려진 차세대 메모리 적층기술은 수십 마이크로미터(㎛) 두께로 만든 메모리칩에 직접 구멍을 뚫고, 수직으로 쌓아올린 뒤 구멍에 전기가 통하는 물질을 넣어 연결하는 패키징 방법이다. 반도체 업계에 따르면 이 방식을 이용할 경우 기존 제품에 비해 2배~4배 큰 대용량 메모리를 구현할 수 있는데다 동작속도는 50% 이상 높이고, 소비 전력을 40% 이상 절감할 수 있다.

삼성전자는 작년 10월 40나노미터(nm)급 2기가비트(Gb) DDR3 D램 4개를 TSV기술로 적층한 제품을 고객사 서버에 장착해 성능테스트를 완료했다고 밝힌 바 있다.

하이닉스 역시 지난 3월 9일 40nm 2Gb DDR3 D램 8개를 이 방식으로 적층하는 데 성공했다고 발표했다. TSV기술을 이용한 D램 제품 중에는 세계 최대용량이라고 하이닉스측은 설명했다.

엘피다는 지난 27일 삼성전자와 마찬가지로 2Gb DDR3 D램 4개를 TSV기술을 이용해 적층하는데 성공했으며 현재 시제품을 양산 중이라고 발표했다. 이 업체에 따르면 기존 제품에 비해 작동시 전력소모량을 20%, 대기 상태에서는 50%까지 절감할 수 있다고 밝혔다.

홍성주 하이닉스반도체 연구소장은 “TSV기술을 이용한 고용량 메모리 제조기술은 앞으로 2년~3년 내에 메모리 산업의 핵심기술이 될 것”이라고 말한 바 있다. 업계에 따르면 TSV기술을 사용하면 전력소모량을 최대 50%까지 줄이면서 고용량 집적이 가능하기 때문에 대용량 서버는 물론 랩톱이나 태블릿 등에도 새로운 메모리 기술 경쟁이 벌어질 것으로 예상된다.

업계관계자는 “현재로서는 주요 고객인 세트업체들에서 수요가 거의 없는 상황”이지만 “앞으로를 대비해 주요 D램 제조사들이 기술력을 확보하고 있는 상황”이라고 밝혔다.