마이크론, 난야가 42나노 D램 공정 기술을 발표했다고 EE타임즈 등 주요 외신이 8일(현지시간) 보도했다. 마이크론, 난야는 30나노미터 공정도 개발중이라고 밝혔다.
이들 업체 42나노 공정은 구리 공정 기술을 사용, 2기가비트 DDR3를 양산한다. 42나노 공정은 1.35볼트 전력을 사용한다. 과거 1.5볼트 대비 30% 전력량을 절감했다.
2기가비트 42나노 DDR3는 초당 1천866메가비트 데이터를 전송할 수 있다. 마이크론은 샘플 양산은 상반기 내, 본격 양산은 하반기부터로 예정됐다고 발표했다.
로버트 퍼를 마이크론 D램 마케팅 부사장은 "42나노 공정으로 이전하는 것과 동시에 현재 30나노대 기술 개발이 이뤄지고 있다"고 설명했다.
페이 린 파이 난야 글로벌 세일즈 마케팅 담당 부사장도 "난야는 빠른 시간 안에 서버, PC 등에 제품을 공급하도록 하겠다"고 말했다.
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마이크론, 난야가 42나노대 제품 개발, 양산하더라도 국내 메모리 업체와 기술 격차는 여전히 한참 벌어진다.
삼성전자는 이번달 30나노 2기가비트 DDR3 D램을 개발하고 하반기부터 양산을 시작한다고 발표한 바 있다. 하이닉스는 지난해 11월 44나노 2기가비트 DDR3를 출시했다.