인텔 프로세서「10GHz 고지가 보인다」

인텔은 기존 칩보다 5배 이상 빠르게 작동하는 프로세서를 만들기 위한 핵심 기술을 개발하는데 또 하나의 이정표를 세웠다.지난 8일 인텔은 EUV 평판 인쇄술과 함께 사용되는 최초의 스탠다드 포맷 포토마스크를 만들었다고 발표했다. EUV 기술은 칩 메이커들이 70나노미터 수준의 칩부터 시작해 점점 더 작아지는 피처(feature)들을 실리콘 위에 새겨 넣을 수 있도록 설계됐다. 기존의 프로세서들은 180나노미터 미크론 공정에서 제조된다. 더 작은 피처들을 새겨 넣는다는 것은 보다 많은 트랜지스터들을 보다 작은 크기의 실리콘 위에 압착해 넣을 수 있다는 의미로 컴퓨팅 파워를 더욱 높일 수 있다. EUV는 비교적 순조로운 개발 행로를 걷고 있으며, 대부분의 산업 전문가들은 이 기술이 10GHz 이상의 속도로 작동하는 칩 제조 기법으로써 오늘날의 DUV(Deep Ultraviolet) 평판 인쇄술을 계승할 것으로 믿고 있다. 이런 새로운 포토마스크들이 EUV의 성공에 결정적으로 중요한 이유는 이것이 칩 제조 과정에서 UV 광선을 사용해 실리콘웨이퍼에 피처들을 그려 넣는데 필요한 대표적인 기술이기 때문이다.DUV 평판 인쇄술은 포토마스크를 투과하는 248나노미터 파장의 광선을 사용해 실리콘 위에 칩 이미지를 인쇄한다. 하지만 대부분의 물질들이 UV 광선을 흡수하기 때문에, 연구자들은 EUV가 사용하는 13나노미터 파장 광선을 반사하는 물질들을 보충해야 했다. 인텔이 개발한 새로운 EUV 포토마스크가 바로 그런 역할을 하기 때문에 UV 공급은 EUV의 발전에 있어 또 하나의 획기적인 사건이라고 인텔 경영진들은 밝혔다.인텔의 고급 절연 도료 그룹(Advanced Resist Group) 리더인 커트 잭슨은 "이것이 획기적인 사건인 이유는 오늘날 사용되는 포토마스크가 투과광(透過光) 포토마스크이기 때문"이라고 설명했다.현재의 칩 제조에서 이뤄지는 것처럼 포토마스크를 통해 빛을 투과시키는 대신, EUV는 EUV 포토마스크를 사용해 UV 광선을 실리콘웨이퍼에 반사시킨다. 이것을 가능케 하기 위해 인텔과 EUV LLC(EUV 기술 개발을 책임지는 컨소시엄)는 특수 코팅 기술을 개발해야 했다. 이 특수 코팅은 몇 겹의 몰리브덴 실리사이드(몰리브덴과 실리콘의 합성물)로 이뤄진다.인텔 경영진들은 EUV 포토마스크는 비록 새로운 몰리브덴 실리사이드 코팅을 필요로 하지만 기존의 칩 제조 설비에서 사용되는 동일한 제조 수단을 대부분 사용할 수 있기 때문에 시간과 개발비를 절감할 수 있을 것이라고 밝혔다.잭슨은 "인텔은 우리가 오늘날 사용하는 것과 비슷한 토대 위에서 EUV 포토마스크를 생산할 수 있다는 것을 보여줬다"고 평가했다.올해 초 EUV LLC측에 공급된 이 포토마스크는 프로토타입의 EUV 칩 제조 기기인 EUV 엔지니어링 테스트 스탠드에서 이 공정을 사용해 실리콘웨이퍼 위에 최초의 이미지를 인쇄하는데 사용될 것이다. EUV LLC는 인텔, AMD, 마이크론 테크놀로지, 인피니온, 샌디아 앤 로렌스 리버모어 연방 국립연구소 등의 컨소시엄이다. 최근에는 IBM도 이 단체에 합류했다.6평방 인치 넓이에 0.25인치 두께의 EUV 포토마스크는 200나노미터 피처를 포함하고 있는데, 이는 실리콘웨이퍼에 50 나노미터 피처를 인쇄하기 위해 4인수로 약분된 것이다.인텔의 차기 목표는 120나노미터 피처를 포함하는 마스크를 개발해 30나노미터 피처를 실리콘에 인쇄하는 것이다.30나노미터 피처를 가진 칩들은 인텔이 올해 말쯤 런칭할 계획인 130나노미터 제조 공정보다 4세대 앞선 것이다. @