SK하이닉스, 또 쌓는다...온디바이스 AI용 '3D 적층 D램' 개발 시동

美고객사와 공동 설계 주도할 인력 채용 개시...HBM 이어 패권 다툼 준비

SK하이닉스가 온디바이스AI향 차세대 D램으로 평가되는 3D 적층(Stacked) D램 개발에 속도를 낸다. 최근 미국 고객사와 협력해 관련 기술을 공동 설계할 인재 채용을 시작한 것으로 파악됐다.

3D 적층 D램-온(on)-로직(Logic) 설계는 로직 반도체(시스템 반도체) 위에 메모리를 직접 쌓아올리는 차세대 반도체 기술이다. 생성형 AI 이후 피지컬 AI 시대 온디바이스 방식의 엣지 AI 기기의 핵심 반도체로 작동할 것으로 기대된다.

24일 업계에 따르면 SK하이닉스는 최근 미국 산호세에 위치한 미주 법인을 통해 3D 적층(Stacked) D램-온(on)-로직(Logic) 설계 엔지니어를 채용하고 있다.

SK하이닉스 이천 M16(사진=SK하이닉스 )

SK하이닉스가 3D 적층 D램 분야의 전문 인력을 채용하는 것은 이번이 처음이다. 해당 기술이 온디바이스 AI 영역에서 차세대 메모리반도체로 주목받고 있는 만큼, 선제적으로 상용화 준비에 나서려는 것으로 풀이된다.

특히 SK하이닉스는 이미 특정 고객사와 해당 기술 적용을 위한 협력 관계를 맺은 것으로 파악된다.

회사는 이번 채용 공고에서 "미국 고객사와 긴밀히 협력해 3D 적층 D램 로직(logic) 다이 공동 설계를 주도할 수 있는 인재를 찾고 있다"며 "변화하는 기술 요구사항과 시장 수요에 부합하는 다이 설계 솔루션을 제공하는 것이 목표"라고 설명했다.

세부적으로 SK하이닉스는 3D 적층 D램-온-로직 디자인 설계를 담당할 인력을 모집한다. 3D 적층 D램-온-로직은 시스템반도체 위에 D램을 수직으로 직접 쌓아 올리는 최첨단 적층 기술이다.

단순히 두 칩을 위아래로 배치하는 PoP(패키지-온-패키지)보다 칩 간 연결 거리를 크게 줄일 수 있으며, 동일한 면적에서 더 많은 데이터 전송통로(I/O)를 구현할 수 있다. 덕분에 데이터 전송 지연을 줄이고 전력 효율과 공간 활용도를 높일 수 있다.

SK하이닉스의 설명에 따르면 해당 기술은 주로 온디바이스 AI 시장을 타겟으로 개발되고 있다. 온디바이스 AI는 높은 메모리 대역폭과 저전력 특성을 동시에 요구하기 때문에 PoP 구조로는 성능 구현에 한계가 있다는 지적이 제기돼 왔다.

가장 유망한 적용처로는 모바일 AP(어플리케이션 프로세서) 등이 거론된다. 모바일 AP는 스마트폰의 두뇌 역할을 담당하는 시스템반도체로, 기기 내 온디바이스 AI 구현을 위해 가장 최첨단 파운드리 및 패키징 공정을 채용하는 분야다. 애플과 퀄컴 등이 대표적인 설계 기업이다.

이와 관련 안현 개발총괄 사장은 지난 4월 열린 'TSMC 테크놀로지 심포지엄 2026'에서 "메모리와 로직 기술의 통합은 기존 구조의 한계를 뛰어넘어 AI 성능을 극대화할 기술적 돌파구"라며 "커스텀 고대역폭메모리(HBM)를 넘어 고대역폭플래시(HBF), 3D 적층 D램-온-로직에 이르기까지 고객의 다양한 워크로드에 최적화된 솔루션을 제공할 것"이라고 밝힌 바 있다.